这个墙是氧化硅的材料，是40纳米，这是通过光刻翻版出来，然后呢我在上面铺一层氮化硅薄膜，铺的时间控制好，这个侧面的墙是20纳米，这样的话呢，第二次用等离子刻蚀机刻，有方向性地把上面的盖去掉，把底部去掉，就出来两个叫边墙。这边墙的厚度就是20纳米，这是刻的氮化物。刻氮化物需要用选择性的气体刻。

然后刻完以后第三次刻呢，我们换一些气体专门刻氧化物，把氧化物刻掉，这个墙就留下来了。所以一个40纳米的微观结构就翻成两个20纳米的结构了，这个叫二重模版。

还有进一步的四层模板技术，在20纳米的氮化物墙上，再铺一个10纳米的氧化物的膜，我第四次刻的时候把上头盖去掉，底去掉以后，就出了四个边墙。 然后再用不同的化学气体，把中间的核刻掉，就变成了四个10纳米的边墙。20纳米以下是这样做出来。这里就没有光刻的事，就是等离子与薄膜组合拳，把它翻版就越翻越小。

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