|研发投入不及同行公司协昌科技功率芯片核心竞争力备受质疑( 三 )

另外，在深沟槽栅极型超结功率MOSFET、内置快恢复二极管的超结功率MOSFET、基于SGT架构的新型IGBT芯片等高新技术方面，凯思半导体仍处于研发阶段，届时其产品能否适应市场仍是个未知数。
而新洁能目前主要产品包括12V~200V沟槽型功率MOSFET（N沟道和P沟道）、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET（N沟道和P沟道）、500V~900V超结功率MOSFET、600V~1350V沟槽栅场截止型IGBT ，相关核心技术已获得多项专利授权，四大系列产品均获得江苏省高新技术产品认定。
同时，新洁能的产品广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子、新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、光伏新能源等领域。
相对而言，新洁能无论是技术布局，还是产品应用领域，均领先于协昌科技。而协昌科技也坦承，功率芯片的技术内涵丰富，外延应用极为广泛，公司产品的终端市场开拓尚显不足，经营规模有待进一步扩大。
研发投入不及同行竞争对手
据了解，功率芯片尤其是高端的MOSFET、IGBT等产品长期以来被国外企业垄断，美国、欧洲、日本、韩国的芯片厂商凭借自身的市场先发优势，占据了国内的MOSFET主要的市场份额。不过，近年来随着中国本土企业在技术上不断发展，逐渐打破了国内功率芯片市场受制于国外技术垄断的局面，质量优势和价格优势已经逐渐体现，并获得市场认可。
然而，相较于新洁能、韦尔股份、富满电子等上市公司，协昌科技明显存在技术储备及市场开拓方面的不足。
2017—2019年，协昌科技研发费用分别为988.54万元、1257.31万元和1329.87万元，研发费用率分别为3.08%、3.18%和2.84% ， 2019年研发费用率较2018年下滑0.34% 。

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招股书中的功率芯片方面，协昌科技列出了富满电子、韦尔股份、新洁能3家同行可比公司，却未披露它们的研发投入对比情况。笔者通过查阅资料可知，协昌科技的研发投入金额不及新洁能的1/2；富满电子的1/3；韦尔股份的1/10；可见，协昌可见的研发投入远远低于同行可比公司。

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而在研发费用率方面， 2017-2019年，新洁能的研发投入费用率分别为4.29%、4.59%、4.47%；富满电子的研发投入费用率分别为8.53%、9.06%、7.71%；韦尔股份的研发投入费用率分别为4.21%、4.22%、12.43% ，可以明显看出，这三家的研发费用率均高于协昌科技。

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通过对比，协昌科技无论的研发投入金额还是研发费用率均不如同行公司，而在研发项目平均投入方面也出现下降趋势。 2017—2019年，协昌科技单个研发项目平均投入金额分别为76.04万元、69.85万元和66.49万元，单个项目平均投入呈现逐年降低。

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