闪存|原厂固态硬盘也翻车？SSD变更硬件方案的来龙去脉固态硬盘|ssd|三星|数码

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硬件方案稳定，是过去大家选择原厂固态硬盘的一大原因。不过现实中由于诸多因素的影响， SSD换方案这件事，其实闪存原厂也不能免俗。英睿达P2、西数SN550和三星970EVO Plus近期接连被送上热榜，原因都是一个：新出的版本相比老版本降速了。
固态硬盘新不如旧，无非是主控或闪存发生了变化。而闪存导致的SSD性能下降主要有以下三种原因：制程微缩、单die容量变大、颗粒类型变更。我们分开来看前面提到的几个案例究竟是如何变化的。
英睿达P2：
【闪存|原厂固态硬盘也翻车？SSD变更硬件方案的来龙去脉】英睿达P2在上市之初就分为两种类型，入门款500GB使用64层堆叠3D TLC闪存，其余更大容量的型号使用96层堆叠3D QLC闪存，不过在近期有国外玩家发现，市面上新售出的P2 500GB也换成了3D QLC闪存。下图中上侧为老款TLC版P2 500GB ，下侧为新款QLC版P2 500GB 。
英睿达P2这种情况属于闪存颗粒类型变更。 P2 500GB使用3D TLC闪存这只是一个用户经验，英睿达从未明确P2 的闪存类型，而且在大多数报道当中P2都是一款QLC固态硬盘。
500GB型号之前使用3D TLC显然是一个闪存技术从64层向96层更迭时期的临时举措。现在小容量款的福利没了， P2也回归到“SATA固态硬盘”替代者的角色上去，认清这一点就好。
西数SN550：
SN550的“掉速”是从贴吧传出来的，主要是玩家发现主流的1TB容量版本被发现缓存外写入速度从850MB/s减半到不足400MB/s 。
SN550的问题是闪存单die容量变大，导致小容量型号的性能下降。单die容量增加不仅意味着SSD中的并发度下降，在同代闪存中，单die容量较大的变体存储密度更高、每GB容量成本更低，但通常在性能上也会有一定的劣势。
结合SN550 1TB的缓存外写入速度减半的情况来看，西数应该已经全面用上了单die容量1Tb的新闪存，至于新闪存是96层堆叠还是112层堆叠，目前尚不能完全确定。但是铠侠去年曾提到过要开发1Tb die的BiCS5 ，所以后者的可能性更大一些。
最新的进展是西数已经承认SN550从6月起引入了新闪存（搭配新版本的固件），并在当时就更新了产品数据表。西数承诺为了提高透明度，未来在原厂SSD进行方案变更时会引入新的型号，避免误导用户。
和上次机械红盘使用SMR叠瓦方案一样，西数这次也是大大方方地承认了SN550的硬件变化。其实西数的另外一款固态硬盘SN750也要换代了，并且在名称上做出了改动：新推出的SN750 SE采用群联PS5019方案，性能上相当于是SN550的加强版，但由于是DRAMLess无缓存方案，跟原版SN750相比则有所不如。
三星SSD也偷换方案？
西数SN550更换闪存导致缓存外写入降速的事件还没有降温， B站UP主潮玩客又挖出了三星的“大料”：新款970EVO Plus缓存外写入速度也降了一半。从下图来看，新版970EVO Plus的SLC缓存容量变大，但缓存外的写入速度降低了一半左右。
新版三星970EVO Plus性能变化主要是因为变更了主控。新版用980PRO同款的ELPIS主控取代了老款中的PHOENIX主控。
至于闪存，虽然编号有一位变动，但似乎只和封装形式有关，至于单die容量是否发生变化，目前还不好判断。

ELPIS是三星用在980PRO中的旗舰主控（可能更换了PCIe 3.0 PHY）， 8nm工艺制造、8闪存通道设计、支持1200MT/s高速闪存，支持的队列深度也从PHONENIX的32个提高到128个，随机读写能力大幅升高：

新版970EVO Plus在更换980PRO同款主控后也沿用了其动态SLC缓存算法，空盘状态下SLC缓存容量从42GB提高到114GB 。缓存外写入速度下降则可能和三星的新算法有关。根据PCEVA之前评测三星980PRO的经验来看， ELPIS主控在采用动态SLC策略之后，缓存用尽状态下不会跟其他主控一样直接进入TLC直写，而是会利用更强的处理能力实现边释放边写入。从IOMeter长时间顺序写入记录可以看到， 980PRO颗粒的TLC直写速度（后半段）实际要比SLC缓存刚用尽时的表现更快。