芯片|美芯片法案细节曝光:在美建厂获补贴,或未来10年不能在中国建厂

芯片|美芯片法案细节曝光:在美建厂获补贴,或未来10年不能在中国建厂

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芯片|美芯片法案细节曝光:在美建厂获补贴,或未来10年不能在中国建厂

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芯片|美芯片法案细节曝光:在美建厂获补贴,或未来10年不能在中国建厂

众所周知 , 因为美修改了芯片禁令 , 使得中国半导体企业都处于水深火热之中 。 而在这种重压之下 , 反逼着国内半导体企业加快芯片自研 , 在过去短短1年多的时间里 , 中国半导体技术突飞猛进 , 这也打了老美一个措手不及 。

为了巩固美芯片企业在全球芯片市场的地位 , 美又动起了全新《芯片法案》的心思 。 近日 , 外媒透露 , 美芯片法案正式通过 。 法案的相关细节和内容也被曝光 , 为了吸引更多的半导体企业赴美建厂 , 老美给出了不少优厚的条件 , 比如5年内拨款520亿美元以及税收减免25%为期四年 。

但如果半导体企业想要获得美这方面的补贴 , 就需要做出“2选1”的决定 , 未来10年不能在中国市场扩建工厂 。 毋庸置疑 , 美芯片法案再次将“中国半导体”摆在了对立面 。
【芯片|美芯片法案细节曝光:在美建厂获补贴,或未来10年不能在中国建厂】就目前来看 , 有赴美建厂意愿的半导体巨头企业 , 如三星、英特尔、台积电、德州仪器等等企业 , 对于这个条件似乎并没有明确的反对态度 , 或许是美给出的补贴条件太有吸引力了 。 虽然目前美芯片法案还没有正式落地 , 但一旦实施 , “中国芯”就真的只能靠自己了!

有一说一 , 美芯片法案通过对中国半导体产业来说 , 确实是个坏消息 , 但还没有到“绝境”的地步 。有外媒对此法案进行了这样的评价——“中国半导体产业能否有所突破 , 中芯国际是关键” 。
美芯片法案中提到“未来10年不能在中国市场扩建工厂” , 其实是有限制条件的 , “先进制程芯片” 。 这就存在一个分歧了 , 何为先进制程芯片呢?通常情况下 , 国内会把7nm制程以下的芯片认定为先进工艺制程 , 比如7nm、5nm、3nm以及1nm等 。

ASML公司的EUV光刻机能够生产的就是7nm制程及以下先进芯片 , 所以7nm工艺制程及以下是我们认知中的“先进制程芯片” 。 而14nm工艺制程芯片就是我们认知中的“成熟工艺” , 不在美芯片法案的限制范围内 。
而目前老美对中芯国际的技术工艺正在进行新的研究 , 争议点就是14nm工艺制程 , 就看老美如何界定“先进工艺制程”了 。 如果老美认定中芯国际的14nm工艺制程是“先进工艺制程” , 那么三星、台积电等有赴美建厂计划的芯片巨头在国内建立的14nm工艺制程生产线也会受到限制 , 这对于中国芯的发展是不利的 , 同样对美芯片巨头也不利 。

但这件事情还有转机 , 虽然老美想要限制中芯国际的发展 , 但一方面也不想要影响美芯片企业在中国市场的订单产能 , 所以老美需要权衡利弊 , 找到一个两全其美的方法 。 很显然 , 14nm工艺制程如果被界定为“先进工艺制程” , 美芯片企业的产能势必会受到影响 , 考虑到这一点 , 老美很可能不会将14nm工艺界定为“先进工艺制程” 。
总的来说 , 美芯片法案的通过给中国半导体企业再次敲响了警钟 , 美正在进一步收紧对中国半导体企业的限制 , 留给我们的时间不多了 , 路远且艰 , 继续加油吧!对此 , 你怎么看呢?欢迎评论留言!