|中国科学院院士郑有炓：发展第三代半导体，培养能“解决问题”的人才( 二 )

【|中国科学院院士郑有炓：发展第三代半导体，培养能“解决问题”的人才】在功率半导体器件领域，第三代半导体的发展也很快。 Si功率器件的转换效率低，以巨额能耗为代价，性能提升日趋于逼近Si 材料物理极限，难于满足新一代信息技术的展的新需求。 SiC、GaN器件与Si相比具有高电压、大功率、低损耗、高能效、耐高温和抗辐射性能，有效提高功率转换效率并实现电力设备的小型化、轻量化。第三代半导体的应用，有望解决数据中心，基站等基础设可持续发展施面临的巨大能耗瓶颈，支撑移动智能终端实现小型化、轻量化并提升续航能力。
以“十四五”为契机，加快制定实施人才教育培养计划
当前国内外形势正在发生深刻复杂变化，我国半导体产业发展仍处于重要攻坚发展期，加快发展半导体产业都离不开人才，特别是高层次领军人才。
郑有炓指出， 5G信息时代，第三代半导体与第一代、第二代半导体优势互补、协同支撑新一代信息技术创新发展，支撑传统产业数字化转型、智能化发展。第三代半导体作为基础层面硬科技支撑“新基建”的实施，支撑新时期社会经济的高质量发展。与第一、二代半导体相比，第三代半导体尚属发展中的新型半导体，如何加快加强人才教育培养？第三代半导体产业与第一代、第二代半导体相比，具有以下特点：首先，第三代半导体属发展中的半导体新技术、新兴产业。我国基本上与其他国家处于同一起跑线上，不存在“代”的差别。其次，第三代半导体属战略性先进技术、战略性产业。从基础层面支撑新基建，支撑5G信息技术创新发展、能源与环境面对的严峻挑战、传统产业更生换代，数字化转型和智能化发展。而且第三代半导体具有广阔的应用前景，从面广量大的高端应用到消费类商品主流市场，市场空间巨大。再次，第三代半导体产业设备难度和工艺精度远低于集成电路技术的要求，没有卡脖子问题。最后，第三代半导体产业资金门槛不高，远低于集成电路。
我国在推进第三代半导体产业时，要及时优化微电子学科人才培养体系，构建优化的结构体系和学科布局，形成三代半导体面向科技前沿面向产业主战场的人才培养格局。郑有炓还建议，以国家“十四五”为契机，制定人才教育培养计划，加快实施。