行家说|第三代半导体纳入“十四五规划”！这类型的企业布局更有优势( 二 ) 日前

2019年11月，科锐与意法半导体扩大并延伸现有SiC晶圆供应协议。
三安集成
而在国内企业的布局中，三安算是领导型厂商。
2017年底，三安光电宣布投资333亿元建设“泉州芯谷”南安园区·三安高端半导体项目。主要包括高端氮化镓LED衬底、外延、芯片的研发与制造产业化项目，高端砷化镓LED外延、芯片的研发与制造产业化项目，大功率氮化镓激光器的研发与制造产业化项目的光芒，用于扩大高端化合物半导体产能。
2018年12月，三安光电子公司厦门三安集成电路宣布推出6英寸SiC晶圆代工制程。商业版本的6英寸SiC晶圆制造技术的全部工艺鉴定试验已完成并加入到三安集成电路的代工服务组合中。
2020年6月16日晚间，三安光电发布公告称，公司决定在长沙高新技术产业开发区管理委员会园区成立子公司投资建设包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目，包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链，投资总额160亿元。具体开发建设产品内容方面，三安光电表示，主要研发、生产及销售6吋SIC导电衬底、4吋半绝缘衬底、SIC二极管外延、SiCMOSFET外延、SIC二极管外延芯片、SiCMOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET等。
利亚德
早在2017年初，利亚德全资子公司利亚德香港就出资350万美元认购了赛富乐斯（SAPHLUX）公司1,501,220股AA级优先股，占赛富乐斯总股本的14% 。
作为一家专注于第三代半导体的技术企业，经过从耶鲁大学实验研发到产业化的十几年积累，赛富乐斯现已拥有两项全球领先的第三代半导体技术：半极性氮化镓材料以及NPQD（纳米孔量子点）Micro-LED 。
半极性氮化镓（Semi-polarGaN）材料是业界公认的更加先进的第三代半导体核心材料。相比于传统的极性氮化镓，半极性材料拥有更优化的晶体方向，大幅降低了氮化镓材料中固有的量子限制史塔克效应（QCSE），消除了极化场，使电子和空穴的结合效率大幅提高。因此，由半极性氮化镓材料制成的半导体器件能够在长波长、大电流的环境下高效、高速地运行，在激光投影、Micro-LED显示、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域均拥有广阔的应用前景，是支撑信息、能源、交通等发展的重要战略新材料。
目前，赛富乐斯已成为全球唯一一家能够量产4英寸半极性氮化镓晶圆的企业，产品已得到了业界的广泛认可，销往日本、韩国、美国等众多第三代半导体企业和研究机构。
此外，值得一提的是，目前第三代半导体领域关注度飙升的Micro-LED ，业界几乎已经达成共识，将会在AR/VR领域率先得到商业化应用。不过，传统氮化镓的极化效应会导致蓝、绿光LED芯片在电流变化时产生波峰（色彩）偏移， AR/VR用Micro-LED的对比度高，在使用中需要频繁转换场景，其驱动电流的变化就会带来严重的色彩偏差，难以满足终端客户的要求。而半极性氮化镓Micro-LED通过大幅降低极化效应来解决这个问题。
利亚德目前在大尺寸自发光领域已经布局了Micro-LED显示，而在赛富乐斯上的布局，对于利亚德未来在更广阔的消费显示及第三代半导体应用方向上或将大有裨益。
华灿光电
2019年11月14日，华灿光电（浙江）有限公司成功获批浙江省第三代半导体材料与器件重点实验室，为义乌市首家省级重点实验室。标志着浙江省科技厅对华灿光电在第三代半导体材料与器件领域的技术储备以及科研实力的肯定。
2020年7月8日，华灿光电院士工作站在义乌制造基地正式挂牌。院士工作站由长期从事宽禁带半导体材料及关键技术研究的中国科学院院士叶志镇教授领衔，华灿光电研发团队支持，将助力华灿光电在第三代半导体材料和器件领域加速提升核心技术，为国家产业发展提供有力技术支撑。