行家说|第三代半导体纳入“十四五规划”！这类型的企业布局更有优势日前

日前，最新消息显示，国家2030计划和“十四五”国家研发计划明确将第三代半导体列为重要发展方向，目前已经到了动议讨论实施方案的阶段。超强风口来临，相关板块个股逆势飞涨。
那么，何为第三代半导体？在半导体产业的发展中,一般将Si、Ge称为第一代半导体；而将GaAs、InP、GaP、InAs、AlAs及其合金等称为第二代半导体；SiC、GaN、ZnSe和金刚石等宽禁带半导体称为第三代半导体。
同第一、二代半导体相比,第三代半导体有以下突出的优点：
√宽禁带宽度、高击穿场强、高饱和漂移速度、高热导率、小介电常数和高的电子迁移率，以及更强的抗辐射能力强；
√制作高频、大功率、耐高温和抗辐射器件的理想材料；
√耐高温使得宽禁带半导体可以适用于工作温度在650℃以上的军用武器系统和航空航天设备中；
√大功率在降低自身功耗的同时提高系统其它部件的能效，可节能20%-90%；
√高频特性可以极大提高雷达效率，在维持覆盖的前提下减少通信基站的数量，更可以实现更高速IC芯片的制造；
√宽禁带使得高亮度白光LED照明成为可能，同时可降低电力损耗47%；
√抗辐射可以减少设备受到的干扰，延长航空航天设备的使用寿命的同时极大的降低重量。
行家说产业研究中心认为：以SiC和GaN为核心第三代半导体近几年来受到半导体行业极大关注。随着5G、汽车等新市场出现， SiC和GaN不可替代的优势使得相关产品的研发与应用加速。此外，两者的不同优势决定了应用范围上的差异。 SiC拥有更高的热导率和更成熟的技术，可用于功率器件；而GaN具有更高的电子迁移率，相比SiC或Si具有更高的开关速度，在高频率应用领域， GaN具备优势。

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来源：行家说产业研究中心
化合物半导体工艺属于精细生产过程，需要严格的工序流程管理及生产控制，这要求企业需要有足够的生产经验的技术储备。此外，化合物半导体前期投入巨大，固定成本极高，参与其中的企业既要有规模化生产管理的经验，又要有雄厚的资金实力，才能在形成规模化之前承担起巨大投入带来的成本压力。
基于上述条件，原先在LED领域的头部企业即拥有优秀的制造基因，又有充裕的资金储备，因此具有布局第三代半导体的良好基础。
事实上，我国对于第三代半导体材料的投资热情高涨，仅从LED领域相关的企业来看，目前就有科锐、三安、华灿、士兰、利亚德等LED领军企业，在第三代半导体方面已抢先布局。那么，这些企业已有哪些重要举措和新进度呢？
科锐
谈到第三代半导体，首先绕不开科锐，在SiC市场具有超高市占率。
科锐在1991年就推出了全球首款商用SiC晶圆， 1998年创建业界首款采用SiC的GaNHEMT ，进入21世纪后，公司在SiC射频器件与电力电子器件领域继续拓展，于2002年推出首款600V商用SiCJBS肖特基二极管， 2011年推出业界首款SiCMOSFET 。
目前科锐具备SiC功率器件和GaNRF射频器件生产能力。其中SiC功率器件市场，科锐的Wolfspeed拥有全球最大的市场份额，也引领了SiC晶圆尺寸的变化浪潮；在GaN射频市场， Wolfspeed位居第二。科锐的GaNHEMT出货量超过了1500万只，此外也拓展了GaN-on-SiC代工服务。
近一年来，科锐在SiC方面动作频频，关键的事件有：
2019年1月，科锐与意法半导体签署SiC晶圆片多年供应协议。
2019年5月，科锐宣布将投资10亿美金用来扩大SiC的产能，包括整合一座8寸晶圆厂和一座SiC材料工厂。
2019年8月，科锐与安森美半导体签署SiC晶圆片多年期供应协议。
2019年9月，科锐宣布扩产计划，将在美国纽约州建造全球最大SiC制造工厂，该计划将实现30倍产能提升和更低的净资本性支出。