■用钱堆出来的FinFET工艺( 五 )

格芯半导体（Global Foundries）

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2018年8月27日（美国西部时间），格芯半导体宣布，为支持公司战略调整，将无限期搁置7纳米FinFET项目，并调整相应研发团队来支持强化的产品组合方案。由于战略转变，格芯半导体将削减5%的人员，其他技术人员将被部署到14/12纳米FinFET衍生产品和其他差异化产品的工作上。
格芯半导体是由原超微半导体（AMD）的制造业务部门在2009年3月分拆成立， 2010年收购了新加坡特许半导体（Chartered）， 2015年7月完成收购IBM的半导体业务部门，可以说，格芯半导体继承了AMD、特许半导体（Chartered）和IBM的半导体基因，绝对是半导体界的豪门贵族。
格芯半导体的FinFET工艺原本师承IBM ， 2012年宣布推出自研的14XM（eXtreme Mobility）技术，进军移动通讯市场，计划在2014年量产；由于技术指标问题，格芯放弃14XM ， 2014年转而从三星获得14纳米授权，在2015年第一季度14纳米初级版14LPE成功通过了批量生产；三季度性能增强版本（14LPP）获得认证， 2016年量产；2017年推出为IBM Z服务器用处理器芯片定制的14HP技术，这是业界唯一将三维FinFET晶体管架构结合在SOI衬底上的技术。
由于AMD转投台积电，导致格芯半导体宣布无限期搁置7纳米工艺研发，事实上，在收购IBM半导体部门，格芯获得了更多的半导体专利及优秀研发人才，充实了自己的研发实力，并成功研发7纳米工艺。根据GF公布的数据， 7纳米工艺相比14纳米工艺可以在同样的功耗下提升40%以上的性能，或者同样的性能下减少60%的功耗，同时在核心成本上低了30% ，现在出于IP、PDK和良品率的考量，格芯半导体搁置了量产研发。也许哪天，石油爸爸一高兴，就又可以上马7纳米FinFET 。
目前看来，格芯半导体的FinFET战略非常明确，基于已验证的14纳米产品， 2017年宣布了12纳米工艺（12LP）， 2018年已经由14LPP顺利过渡至12LP ，燧原科技的邃思DTU芯片就是基于12LP工艺生产的，拥有141亿个晶体管；2019年推出12LP+ 。目前12LP/LP+工艺由位于纽约的最先进晶圆厂FAB8负责制造。
近期传出要给英特尔找格芯半导体寻求14纳米FinFET工艺资源，进行处理器芯片代工的消息。这将对格芯带来一丝好消息。
在此还要提一下，格芯的FDSOI工艺。目前在德国的工厂生产的22FDX和12FDX工艺。有设计公司表示， 12FDX的性能（不指晶体管的密度）堪比台积电的N7 。
联电（UMC）

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联电的新任管理层在2017年7月表示，联电共同总经理王石表示，在先进制程战争中，联电的客户群缩小，但先进制程每个节点的演进，其产能投资成本愈来愈高，所以很容易发生当联电赶上最新制程时，这项新制程已过了价格最高的黄金时期，因此联电大胆将重点放在成熟制程上。也就意味着联电暂时放弃了对10纳米和7纳米等先进技术的研发，注重在成熟制程上的获利。
联电成立于1980年，为台湾第一家半导体公司， 1995年转型晶圆代工， 2000年产出业界首批铜制程芯片；2001年开始采用12英寸晶圆；2005年产出业界第一个65纳米制程芯片， 2008年采用28纳米制程技术。
2012年联电加入了IBM技术联盟，派遣技术团队前住IBM晶圆厂，并同步台湾R&D晶圆厂，共同开发10纳米FinFET工艺，并借此强化公司内部14纳米FinFET工艺开发， 2014年14纳米FinFET制程良率达到预期，并在2017年第三季正式量产，当年取得5000万美元的营收， 2018年更是取得营收高达1.5亿美元的佳绩。