■用钱堆出来的FinFET工艺( 四 )

三星代工（Samsung Foundry）

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三星电子成立于1969年， 1974年通过收购韩泰半导体（Hankook Semiconductor）50%的股份，成立半导体事业部，开始进军半导体产业；1979 年收购全资拥有韩泰半导体，并更名三星半导体；1983年正式进军存储器行业，开发出韩国第首个64K DRAM；1988年半导体业务和电子及无线通讯业务合并成立三星电子；2005年开始晶圆代工业务；2017年5月12日，三星电子宣布调整公司业务部门，将晶圆代工业务部门从系统LSI业务部门中独立出来，成立三星电子晶圆代工。
三星进入晶圆代工领域，初始一直瞄准先进工艺， 2006年首个客户签约65纳米；2009年45纳米工艺开始接单，同年11月在半导体研究所成立逻辑工艺开发团队，以强化晶圆代工业务；2010年1月首个推出32纳米HKMG工艺。
在推出32纳米工艺后，三星跳过28/22纳米，直接跨入到14纳米工艺，要和晶圆代工老大台积电展开面对面的肉搏。
2014年推出第一代14纳米FinFET工艺，称作14LPE（Low Power Early ，低功耗早期），并于2015年成功量产；2016年1月推出第二代14纳米FinFET工艺，称作14LPP（Low Power Plus ，低功耗增强），功耗降低15；2016年5月推出第三代14纳米FinFET工艺并量产，称作14LPC；2016年11月推出第四代14纳米FinFET工艺，称为14LPU（Low Power Ultimate ，低功耗终极）。并在14纳米的基础上，推出微缩版11LPP 。
2016年10月17日，第一代10纳米FinFET工艺量产，称为10LPE ，新工艺性能可以提供27% ，功耗将降低40%；2017年11月，开始批量生产第二代10纳米FinFET工艺，称为10LPP ，性能提高10% ，功耗降低15%；2018年6月，推出了第三代10纳米FinFET工艺，称为10LPU ，性能再次得以提升，三星电子采用10纳米的三重图案光刻技术（LELELE）。
三星10纳米以下第一个节点本来是7纳米，但是由于7纳米量产受阻，转而在2018年11月率先推出8纳米， 8纳米制程的8LPP是10LPP的升级终极版，相比10LPP提升10%效率，减小10%面积。
三星将在7纳米工艺及以下工艺全面使用EUV方案。 7LPE已经在2019年4月已经完成验证， 2020年2月20日，三星宣布首条EUV方案专用生产线V1投产，表示三星7LPP已经准备好。但是试产和量产是两个不同的过程，如何保证量率和技术迭代，对三星是个挑战，千万不要再犯当年14纳米的错。高通首款5G SoC 单芯片骁龙765 / 765G就是采用7LPP工艺，不过7LPP好像较计划有所推迟。
三星的5纳米（5LPE）是7纳米（7LPP）工艺缩减（shrink）下来的，后部金属工艺技术基本兼容，尺寸变化不超过10%（等比例缩小是变化30%），密度提高1.3倍，功耗降低20%或将性能提高10% 。 2020年2月，高通发布的骁龙X60基带芯片就是采用5LPE工艺。
5纳米之后，就是4纳米。三星表示这是最后一次应用FinFET技术，延续5LPE工艺的成熟技术，方便客户升级， 4纳米芯片面积更小，性能更高，可以快速达到高良率量产。同时，三星还计划在2020年推出6LPE和4LPE工艺。
4纳米之后就是3纳米。三星表示， 3纳米将引入设计的晶体管（GAA-FET）。 3纳米制程分3GAE、3GAP两个时代。首发3GAE是第一代GAA技术，根据官方说法，因是全新GAA晶体管结构，三星使用纳米设备制造出MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET），可显著增加晶体管性能，以取代FinFET晶体管技术。此外， MBCFET技术还能兼容现有FinFET制程技术及设备，加速制程开发及生产。 2019年三星曾表示，与7纳米制程相比， 3纳米制程可将核心面积减少45% ，功耗降低50% ，整体性能提升35% ，预计最快2021年量产。