什么是非线性光学晶体?它的基本结构特征是什么?( 六 )


图5 水热法ZnO晶体双晶摇摆曲线
四、结束语
我们应用水热法合成 ,ZnO晶体的工作已取得重要进展,基本确定了KTP,ZnO晶体的水热法生长工艺条件,合成出了可供实际应用的晶体材料 。我们相信,这些材料的合成成功,将为我国相关产业的快速发展提供有利条件 。
作者衷心感谢曾骥良教授、陈振强教授对本研究工作的指导和帮助!
参考文献
邱志惠,霍汉德,阮青锋等.2006.水热法KTP晶体生长及形貌特征.广西师范大学学报(自然科学版),24(2):52~55.
阮青锋,霍汉德,覃西杰等.2006.水热法 KTP晶体生长与宏观缺陷研究.人工晶体学报,35(3):608~611.
Zhang Chang-long,Huang Ling-xiong,Zhou Wei-ning et al.2006.Growth of KTP crystals with high damage threshold by hydrothermal method.Journal of Crys-tal Growth,292.364~367.
绿色激光如何产生及其工作原理绿光是近几年普及的,技术突飞猛进,国内取得了巨大发展,虽然在国外已经很普及了,但在国内市场认识层面还是很窄,居然很多朋友对此产品感到非常陌生,不知绿光激光有什么用途,更对此产品之工作原理感到不解,没关系!纤绿精品店工作人员以后有空将陆续讲解一些此方面的知识,本篇主要针对其产生原理作一个讲解, 所有半导体激光都是由激光管聚焦产生的,绿光与红光不同的是绿光没有直接发绿光的激光管,只能通过晶体转换,然后扩束准直产生聚焦良好的绿光.先从晶体了解开始:晶体(Nd:YVO4+KTP) Nd:YVO4 晶体是目前用于制作激光二(LD)泵浦的全固态激光器工作物质中最为有效的激光晶体之一,其优良的性能中,包括稳定的化学和物理加工性、较低激光阈值、较大的受激发射截面、高斜率效率以及宽带的泵浦光吸收效率,从而使得Nd:YVO4 晶体得到了越来越广泛的应用 。近来,该晶体通过和KTP晶体组合所制作的高功率、高稳定性的红外和绿光激光器已得到了工业化生产和广泛的市场应用. KTP(磷酸氧钛钾)晶体:KTP晶体是目前众多非线性晶体中综合性能最好的晶体之一,其较大的非线性系数,较高的抗光损光损伤阈值及稳定化学特性极高的倍频转化效率(>70%)和相对较低廉的价格使其在该类晶体的应用领域中独占鳌头,经久不衰,特别是在1064nm的激光倍频器件的应用中,KTP是最好的晶体材料 。LD(808nm)+Nd:YVO4得到1064nm+KTP得到532nm绿激光. 绿光模组由激光晶体和非线性晶体结合在一起,在激光谐振腔中,利用808nm波长的LD泵浦光经过激光晶体的增益作用生成1064nm的激光,再经过非线性晶体的倍频作用就可以产生532nm的绿色激光 。绿光模组类似于电子元件中的集成电路,具有模块化、集成化的特点,可以批量生产,降低成本 。绿光模组在制作方式上采用较为流行的光胶工艺,与胶粘剂粘接相比:结合面无光学空隙,绿光输出功率高,输出模式好,光斑频闪低,可达到连续稳定输出;在20OmW二极管泵浦条件下,晶体尺寸为0.8X0.8X2,其输出绿光功率一般为5-10mW,另外转换效率和激光二极管及晶体的质量有很大关系,目前市场最先进的技术和材料,转换效率最高可达35%以上 。绿光模组在制作激光谐振腔时极其方便,因此成为激光二极管泵浦全固态激光器(DPSSL)的核心部件 。
350-50电光调制器的频率是多少电光调制器的性能主要由几个参数决定,相对而言,插损,半波电压,带宽和消光比是最常见的,也是最经常问到的问题,本章节将介绍电光调制器常见参数的测量方法 。
1.1 插损 (Insertion loss-IL)
调制器的损耗是由于光纤和波导耦合,光在波导的传输过程等造成的光强衰减 。对于强度调制器,需要通过调节调制器的DC偏压(Pin 1&2),以测量调制器的最大传输(输出)功率 。对于相位调制器,则无需偏压控制,直接测量输入和输出功率 。需要注意的是有和无光学接头(通常为FC/APC)的调制器测量方法的区别,常规产品都是带光纤接头的,所以这里我们仅仅介绍这种测量方法 。无光纤接头的测量方法,请联系我们提供详细的调制器手册 。将电光调制器输入功率和输出功率之差定义为插损:
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接下来的部分描述关于带光纤接头的电光强度调制器的测量:
参考光功率的测量(Pref):
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强度调制器最大输出功率测量 (Pout):
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(偏压控制器:DC偏压被设置到最大输出功率的点)
备注:该测量包含因光纤接头错位及配合法兰匹配问题所带来的不确定性 。
鉴于每个器件(接头、法兰)的质量、兼容性,我们估计的大致光损耗如下:
FC/APC @1550 nm: IL ≤ 0.25 dB每个接头
FC/APC @1060 nm: IL ≤ 0.4 dB每个接头