irf540n的产品的基本参数 _IRF540N怎么使用，三个腿从正面看，分别是什么用途？

irf540n的产品的基本参数参数：
1、针脚数：3；
2、功率Pd：120W；
3、引脚节距：2.54mm；
4、满功率温度：25°C；
5、功耗：94W 。
irf540n的生产厂家是SANYO 、IR、VISHAY等，封装类型为TO-220AB 。
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主要作用：
1、由于irf540n主要是为配件提供稳定的电压，所以它一般使用在CPU、AGP插槽和内存插槽附近。其中在CPU与AGP插槽附近各安排一组irf540n ， irf540n一般是以两个组成一组的形式出现主板上的。
2、irf540n为压控元件，只要加到它的压控元件所需电压就能使它导通，它的导通就像三极管在饱和状态一样，导通结的压降最小。
参考资料来源：百度百科-irf540n
IRF540N怎么使用，三个腿从正面看，分别是什么用途？IRF540N的使用方法是：将IRF540N接入开关电路中即可发挥N型场效应管的作用。三个腿从正面看分别是G、D、T 。G的作用是控制极， D的作用是与散热孔铁片相连， T的作用是用来接地。
由p型衬底和两个高浓度n扩散区构成的MOS管叫作n沟道MOS管，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。
n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。

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IRF540N晶体管的工作原理：
当vGS数值较小，吸引电子的能力不强时，源极之间仍无导电沟道出现。vGS增加时，吸引到P衬底表面层的电子就增多。
当vGS达到某一数值时，这些电子在栅极附近的P衬底表面便形成一个N型薄层，且与两个N+区相连通，源极间形成N型导电沟道，其导电类型与P衬底相反。
故又称为反型层。vGS越大，作用于半导体表面的电场就越强，吸引到P衬底表面的电子就越多，导电沟道越厚，沟道电阻越小。
参考资料来源：百度百科—N沟MOS晶体管
参考资料来源：百度百科—irf540n
IRF540N场效应管检验方法检验方法：
用测电阻法判别结型场IRF540N效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。
当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S 。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G 。
扩展资料：
结型场效应管（JFET）
1、结型场效应管的分类：结型场效应管有两种结构形式，它们是N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管。
结型场效应管也具有三个电极，它们是：栅极；漏极；源极。
电路符号中栅极的箭头
场效应管
场效应管
方向可理解为两个PN结的正向导电方向。
2、结型场效应管的工作原理(以N沟道结型场效应管为例) ， N沟道结构型场效应管的结构及符号，由于PN结中的载流子已经耗尽，故PN基本上是不导电的，形成了所谓耗尽区，当漏极电源电压ED一定时，如果栅极电压越负， PN结交界面所形成的耗尽区就越厚。
参考资料来源：百度百科-场效应管

场效应管IRF540n的针脚是怎么排列的？排列方式如图：
技术参数如下：
型号/规格：IRF540N

种类：绝缘栅(MOSFET)

沟道类型：N沟道

导电方式：耗尽型

开启电压：-（V）

夹断电压：-（V）

跨导：-（μS）

极间电容：-（pF）

低频噪声系数：-（dB）

最大漏极电流：-（mA）

最大耗散功率：-（mW）
Parameter：Value
Package：TO-220AB
Circuit：Discrete
Polarity：N
VBRDSS (V) ：100
RDS(on) 10V (mOhms)：44.0
ID @ 25C (A)：33
ID @ 100C (A)：23
Qg Typ ：47.3
Qgd Typ：14.0
Rth(JC)：1.1
Power Dissipation (W)：140
PbF - FETD：PbFOption Available
请教高手有谁告诉我 IRF540N是什么电子元件？用单片机可以驱动它吗？要怎么驱动？请给电路图，谢谢！IRF540N、场效应管， VDss=100V、ID=33A、