。在这项工作中，我们设计，生长和表征基于

的新型

AlGaN / GaN MQW

以提高发光性能。讨论了不同极性区域对内量子效率（

IQE

），

PL

强度等光学行为的影响。毫无疑问，

LPS

的方法在调节下一代紫外光电

器件

的发光强度方面提供了更多的可能性。

【成果简介】

近日，

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