III

极性

GaN

膜之间的边界处观察到高的光致发光（

PL

）强度。另一方面，

Coulon

等人证明

N

极中的近边带边缘发光更高随机分布的

GaN

微柱区域由于不同区域杂质掺入不均匀。这些结果表明，在增强的发光强度中，极性调控对于形成期望的膜性质是重要的。尽管有这些进展，但是在光电子学中（即，基于

LPS

的

AlGaN / GaN

多量子阱（

MQW

）），

LPS

的应用研究

依然较少

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