中科院宁波材料所AFM:横向极性结构AlGaN量子阱,增强紫外发光的( 六 )
结构的
GaN
,
AlN
和
AlGaN LPS
。通过引入低温(
LT
)
AlN
缓冲层可以控制外延氮化物膜的极性。简单
而言,
在
LT-AlN缓冲层上生长的外延膜呈现
III
极性,而在适当退火条件下生长在裸露蓝宝石上的外延膜表现出
N
极性。关于光学性质,
Kirste
等人由于局域化的表面电位差,在
N
和
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