中科院宁波材料所AFM:横向极性结构AlGaN量子阱,增强紫外发光的( 六 )

结构的

GaN

AlN

AlGaN LPS

。通过引入低温(

LT

AlN

缓冲层可以控制外延氮化物膜的极性。简单

而言,

LT-AlN

缓冲层上生长的外延膜呈现

III

极性,而在适当退火条件下生长在裸露蓝宝石上的外延膜表现出

N

极性。关于光学性质,

Kirste

等人由于局域化的表面电位差,在

N