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|佳恩MOS管|用理论告诉你三极管和MOS管的区别



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|佳恩MOS管|用理论告诉你三极管和MOS管的区别

三极管也被称为半导体三极管 , 在电路设计中可以对电流进行中止控制 , 其主要作用是将微小的信号中止放大 。 由于三极管与MOS管有很多相近的地方 , 所以使得初学者无法明确两者之间的区别 , 本篇文章就将为大家引见三极管和MOS管的一些不同 。

三极管是电流控制 , MOS管是电压控制 。 关于两者之间的区别 , 小编主要列举以下几点:
1、只容许从信号源取少量电流的情况下 , 选用MOS管;在信号电压较低 , 有容许从信号源取较多电流的条件下 , 选用三极管 。
2、MOS管是单极性器件 , 即靠一种多数载流子导电;三极管是双极性器件 , 即有多数载流子 , 也要少数载流子导电 。
3、有些MOS管的源极和漏极可以互换运用 , 栅极也可正可负 , 灵活性比三极管好 。
4、MOS管应用普遍 , 可以在很小电流和很低电压下工作 。
5、MOS管输入阻抗大 , 低噪声 。
6、MOS管较贵 , 三极管价格低廉但损耗大 。
7、MOS管常用来作为电源开关 , 以及大电流开关电路、高频高速电路中 , 三极管常用来数字电路开关控制 。
一方面 , 三极管操作简单且价格低廉 , 因为常常被用于数字电路的开关控制当中 。 而MOS管则常用于高频高速电路、大电流场所以及对基极或漏极控制电流比较敏感的中央 。 所以对于低本钱场所来说 , 考虑将三极管作为首选 , 若行不通再考虑选用MOS管 。
另一方面 , 三极管与MOS管的工作方式不同 。 三极管是靠载流子的运动来工作的 , 以npn管射极跟随器为例 , 当基极加不加电压时 , 基区和发射区组成的pn结为阻止多子(基区为空穴 , 发射区为电子)的扩散运动 , 在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场(即内建电场) , 当基极外加正电压的指向为基区指向发射区 , 当基极外加电压产生的电场大于内建电场时 , 基区的载流子(电子)才有可能从基区流向发射区 , 此电压的最小值即pn结的正导游通电压(工程上普通以为0.7v) 。
但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在 , 此时假设集电极-发射极加正电压 , 在电场作用下 , 发射区的电子往基区运动(理论上都是电子的反方向运动) , 由于基区宽度很小 , 电子很容易越过基区抵达集电区 , 并与此处的PN的空穴复合(靠近集电极) , 为维持平衡 , 在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动 , 而空穴则为pn结处运动 , 此过程类似一个雪崩过程 。
集电极的电子经过电源回到发射极 , 这就是晶体管的工作原理 。 三极管工作时 , 两个pn结都会感应出电荷 , 当开关管处于导通状态时 , 三极管处于饱和状态 , 假设这时三极管截至 , pn结感应的电荷要恢复到平衡状态 , 这个过程需求时间 。 而MOS与三极管工作方式不同 , 没有这个恢复时间 , 因此可以用作高速开关管 。
以上就是有关三极管和MOS管的区别 , 大家有任何相关问题可留言给我们哦~
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