智东西内参|芯片国产替代黄金赛道！手机快充和电动车都离不开，揭秘功率半导体 | 带动功率( 六 ) 功率|内参|赛道|新能源汽车|快

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英飞凌各代 IGBT 产品进入市场后收入变化情况
功率半导体技术难度相对较低，投资强度相对较小，是国产替代的最佳突破赛道。数字芯片技术壁垒高，资金投入大，追求制程的先进性和更大的器件密度。台积电在 5nm 制程平台投资 250 亿美元，三星新的 5nm 芯片生产线投资 81 亿美元，中芯国际的 14nm 及以下 SN1 项目投资额 91 亿美元。而功率半导体对制程的要求较低，先进制程并非影响产品性能的决定性因素。比如士兰微与厦门半导体集团共同投资 170 亿元建设 2 条 12 英寸90-65nm 生产线，技术处于国际领先水平，而单条产线平均投资额不到 100 亿人民币。较低的进入门槛，较少的制程依赖性，叠加产品较长的生命周期，使功率半导体成为国内厂商完成国产替代的最佳赛道。
国内厂商具有快速响应和成本优势。与国外竞争对手相比，国内厂商与下游客户的沟通成本低，供货速度快，服务能力强，能够快速响应下游客户的定制化需求，具有快速响应的优势。此外，国内功率半导体厂商还具有较低的运费，人工成本等优势。
政策、资金助力功率半导体行业发展。近年来，国家不断推出多项政策分别从产业发展、研究开发、财税投资等方面支持包括功率半导体在内的半导体产业发展。国务院于2020 年 8 月印发《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》从财税、投融资、研究开发等全面支持半导体行业的发展。政策的全面支持将成为功率半导体行业快速发展的催化剂。
此外国家在资金层面也给予支持，国家集成电路产业基金（简称大基金）一期、二期也先后于 2014 年、2019 年成立，其中大基金一期募资金额 1387 亿元，大基金二期注册资本 2041.5 亿元。据集微网统计，大基金一期投资领域包括：集成电路制造67%，设计 17%，封测 10%，装备材料 6%。在大基金及其所撬动的社会资本的投资带动下，我国集成电路产业取得了良好发展。

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功率半导体行业政策梳理
3、技术进步产能扩张，国产替代未来可期国内功率半导体厂商研发支出/ 人员不断扩大。近年来国内厂商加大研发投入，研发支出快速增长，多家厂商 2020 年度前三季度的研发支出已接近 2019 年全年水平，研发人员数量也呈快速增加趋势。

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国内功率半导体厂商研发支出（万元）

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国内功率半导体厂商研发人员数量（人）
部分产品技术水平已达到国外主流水准。持续的研发投入带来了国内功率半导体厂商的技术进步。部分功率半导体产品已达到与国外主流竞品的同等技术水平。比如，华润微已建立国内领先的 Trench-FS 工艺平台，具备 600V-6500V IGBT 工艺能力，在 MOSFET方面可提供-100V 至 1500V 的全系列产品。斯达半导拥有基于第六代 Trench Field Stop 技术的 1700V IGBT 芯片及配套的快恢复二极管芯片技术。新洁能 MOSFET 国内领先，可提供 12-250V 沟槽型/500-900V 超结/30-300V 屏蔽栅 MOSFET 产品，性能接近英飞凌主流产品。

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国内主要功率半导体厂商概况
国内厂商产能扩张助力份额提升。在技术进步的同时，国内功率半导体厂商也不断加大投资建厂步伐，扩大产能以提升市场份额。如：斯达半导投资 2.5 和 2.2 亿元用于新能源汽车用 IGBT 模块扩产项目和 IPM 模块项目，士兰微投资 15 亿元用于 8 英寸生产线，新洁能投资 3.2 亿元用于半导体功率器件封装测试产线。

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国内主要功率半导体厂商概况
通过以上分析，国内厂商有望凭借技术进步、成本优势和快速响应能力实现国产替代、份额提升。当前功率半导体国产化率较低主要集中在高端产品领域。但功率半导体行业因为技术迭代较慢、产品生命周期较长、投资强度相对较小的特点，有望成为国替代的最佳赛道。当前国内功率半导体厂商凭借持续的研发投入，部分产品的性能已达到国际主流水平，在国内政策积极支持的有利条件下，有望凭借技术进步、快速响应能力和成本优势完成国产替代，实现市场份额的大幅提升。
智东西认为，功率半导体的应用十分广泛，从几十毫瓦的耳机放大系统，到上千兆瓦的高压直流传输过程;从储能、家电，到IT 产品、网络通讯，只要是涉及电的领域，都存在它的身影。国内市场发展前景广阔，实现技术突破、产品提升，以及进口替代是我国功率半导体行业未来发展的必然选择。随着工业、汽车、无线通讯和消费电子等领域新应用的不断涌现以及节能减排需求日益迫切，我国功率半导体有庞大的市场需求，容易催生新产业新技术，在国家政策利好下，功率半导体将成为“中国芯”的最好突破口。