南泥湾精神，支撑华为的第四场战役：光刻机国产芯片发力迟迟未能成功

国产芯片发力迟迟未能成功，其根本原因就在于技术，因为掌握不到先进的晶圆工艺技术，导致我国半导体产业的发展缓慢，而这其中最根本的原因之一，或许跟先进的光刻机密切相关。如果拥有了先进光刻机，应该就能够推动为国晶圆工艺的发展。
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光刻机（Mask Aligner) 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等，是制造芯片的核心装备。它采用类似照片冲印技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。光刻机分为紫外光源（UV）、深紫外光源(DUV)、极紫外光源（EUV）。
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光刻机是整个芯片生产制造的核心设备，光刻机是整个欧洲先进技术的结晶，是工业时代顶尖技术的荟萃。而在全球光刻机市场上，日本的尼康、佳能和荷兰的ASML占据了90%以上的份额，只有荷兰ASML能生产全球最先进的EUV光刻机。
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光刻机由：照明系统（光源+产生均匀光的光路）、Stage系统（包括Reticle Stage和Wafer Stage)、镜头组（是光刻机的核心）、搬送系统（Wafer Handler+ Reticle Handler)、Alignment系统（WGA、LSA、 FIA)构成。
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通过激发紫外线管的K极，发射出的紫外线被称为极紫外线，极紫外光刻机（Extreme ultra-violet ，也称EUV或EUVL）采用了波长为10～14纳米的极紫外光作为光源的光刻技术，可使曝光波长降到13.5nm ，它能够把光刻技术扩展到32nm以下的特征尺寸。
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光刻技术是现代集成电路生产制造的最大瓶颈， EUV光刻机对于芯片制造的重要性是可想而知的，华为高端的麒麟芯片之所以有绝版的可能，就是因为台积电无法再为其代工，而我国的其它代工厂没有掌握到先进的工艺，很大程度上是缺少了EUV光刻机这一关键设备环。
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【南泥湾精神，支撑华为的第四场战役：光刻机】目前，我国也只有商用的90nm工艺，和研制中的28nm工艺，这离ASML已能实现的5nm ，甚至3nm工艺有着巨大的差距。既然是瓶颈，别人做不了，那就自己研发，这就是南泥湾精神支撑华为的第四场战役：光刻机。当下华为正在全世界延揽人才，投资百亿，集精华人才参战，打赢第四场战役。