英特尔|分析师：PCM和MRAM将主导新兴存储器市场( 二 ) 市场|韦伯|英特尔|存储器|主导

FRAM：铁电存储器，FRAM或FeRAM，但它并不使用铁，这项技术之所以这样命名，是因为它的机制与铁被磁化和去磁时的机制十分类似。在一个方向上的电流将使FRAM单元内的原子转移到分子的一端，反向电流将它们转移到另一端。

FRAM通常不是电阻存储器。今天生产的FRAM使用破坏性读取机制，其向单元施加写入电压。如果电流流动，则意味着原子从单元的一端移动到另一端，并且单元处于擦除状态。如果没有电流流动，则原子已经在电池的那一端。如果读取操作导致原子移动，则在读取单元格之后必须将该原子恢复到原始位置。

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最近的研究发现，FRAM可以使用氧化铪制成，氧化铪是一种广泛应用于半导体工厂的材料。这是FRAM区别于其他新兴存储技术的决定性优势。目前的FRAM使用三端选择器，这对其承载能力有一定限制。

其他技术：NRAM由碳纳米管，石墨烯存储器，导电电子RAM（CeRAM）和上述技术的变体制成，如聚合物铁电体，铁电隧道结（FTJ），铁电FET（FeFET），界面PCM（iPCM，也称为Superlattice PCM或TRAM），磁电RAM（MeRAM），Racetrack Memory等等。

综上，当DRAM和NAND闪存无法继续降低成本时，所有新技术都会争夺下一代存储市场地位，但在此之前必须克服诸多技术和应用障碍。

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