根据Gartner的报告显示，全球芯片制造业厂商预估今年资本支出为1460亿美元左右，比前一年增加三成，这些投资额是半导体产业五年前支出规模的逾两倍。但据Gartner 也估计，这其中每6美元中只有不到1美元用于成熟制程的芯片生产。
但是从市场公开消息来看，台积电、联电等在近几年来都开始加大了对成熟的布局。那么，这些芯片制造厂商投向的成熟制程都流向到了哪些领域？
特色工艺成为成熟制程中的投资重点今年，台积电CEO魏哲家确认在日本建一家专业技术晶圆厂的计划，这也是台积电的第三个主要海外工厂。在10月14日的法说会上，他表示，该工厂将专注于22纳米和28纳米制程技术，这些技术可应用于从图像传感器到微控制器的多种芯片类型。
11月，台积电和索尼双双在他们的官网上公布，将共同成立子公司日本先进半导体制造公司（JASM）。同时，他们还签署了一项价值70亿美元的工厂协议，专注于较成熟的22nm和28nm工艺，计划在2024年完工，具备月生产12英寸晶圆45000片的产能。在半导体产业当中，索尼以CMOS图像传感器而闻名，而CMOS图像传感器也数据特殊制程的一部分。由此可见，台积电对于成熟制程的投资重点之一便是特色工艺。
凭借在成熟制程上长期投入的联电，也在产能紧缺的情况下，成为了产业界的香饽饽。从他们的建厂计划上看，联电在今年4月宣布投资约百亿元人民币，扩充在台南科学园区的 12吋厂Fab 12A P6厂区的28nm产能。8月，联电再次宣布将以南科12A厂P5、P6为重点进行扩产。
而中国台湾的媒体报道也有显示，包括联发科、联咏、瑞昱、奇景、奕力、群联、三星、高通在内的八大IC厂商已经与联电签订协议。据双方签订的协议，这八家客户大多已与联电签下了长达六年的供货协议。在8月份的财报会议中，联电的法人也强调，包括TDDI／OLED面板驱动IC、CMOS相关应用、WiFi网通及电动车等应用芯片都需28纳米、40纳米及45纳米支援。这些领域均离不开特色工艺的加持。
中国大陆方面，中芯国际于2018年与绍兴国资等资本联合成立的绍兴中芯集成电路制造股份有限公司（中芯集成），是一家聚焦于功率, 传感和传输应用领域，提供特色工艺集成电路芯片及模块封装的代工服务的制造商。据浙江日报的报道显示，今年，中芯集成产能爬坡到7万片晶圆/月，而且量产达到99%。
除此之外，格芯、世界先进以及华虹等厂商在成熟工艺布局的过程当中，都对特色工艺有所偏重。在这种情况下，我们看到特色工艺的地位得以日益提升。
特色工艺在晶圆代工厂的地位日益提升台积电是晶圆代工领域的龙头，他们在先进制程上的发展受到了业界的关注，但他们在特色工艺上的布局也不容行业小觑。从台积电的官网显示中看，他们的特色工艺包括 MEMS、CMOS 图像传感器、嵌入式 NVM、RF、模拟、高压和 BCD-Power 工艺等，可涵盖移动设备、汽车电子系统、医疗系统、可穿戴设备和物联网等领域。
除此之外，GaN第三代半导体的代工也是台积电布局重点，他们认为，快充、数据中心、太阳能电力转换器、48V DC/DC，以及电动车OBC/转换器为GaN的发展提供了动力。此前，从台积电宣布与ST联手，加速GaN制程的开发中便可以看出，他们对这一领域的重视。
新兴市场的到来为特色工艺带来了新的发展活力，在近几年中，我们看到台积电对于特色工艺的布局正在不断扩大——3年前，台积电特色工艺的营收仅占成熟制程工艺的45%。今年台积电将目标调升到60%，特色工艺的产能（特别是从28 纳米到16 纳米）也将成长12%。
这种机遇同样影响着联电。联电认为，随着5G、物联网等市场的发展，与之相关的电源管理IC、指纹识别芯片、CIS传感器、物联网MCU、功率半导体等需求不断涌现，特色工艺的需求正在不断涌现。
这也使得本就专注于成熟制程和特色工艺发展的联电迎来了新的发展时期。根据联电的年报显示，联电28nm高压制程是晶圆代工业界第一个领先开发并量产OLED面板驱动IC，22nm高压22eHV制程研发进度符合预期目标。射频绝缘半导体（RFSOI）技术可满足所有4G／5G手机对射频开关的严格要求，目前90nm制程已进入量产，55nm制程即将导入量产，同时已着手开发40nm RFSOI技术平台，以衔接后续5G及mmWave成长动能。联电嵌入式闪存（eFlash）制程的40nm导入量产，28nm研发符合预期，将可供应物联网需求。40nm电阻式随机存取内存（ReRAM）已经进入量产，22nm ReRAM技术平台和22nm嵌入式磁阻随机存取内存（eMRAM）制程平台研发业已如期进行中，可应用于人工智能物联网（AIoT）相关产品。联电也积极投入氮化镓（GaN）功率组件与微波组件平台开发，藉以布局高效能电源功率组件与5G微波组件市场。

稿源：(创业邦)

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标题：igbt|特色工艺的吸引力有多大