全球|从零起步到赶日超美，韩国如何制霸全球存储27年？( 三 ) 存储|sk|韩国|海力士|dram|起步

其二，积极在中国大陆建新厂。
2018年3月，三星在西安举行存储芯片二期项目开工奠基仪式，总投资额为70亿美元，这是三星继2012年在西安高新区花108亿美元投资一期NAND闪存芯片项目后的又一笔投资。
2019年12月，三星西安闪存芯片项目二期第二阶段80亿美元投资启动，二期项目预计至2021年下半年竣工，建成后将新增月产能13万片。今年3月，三星西安一期项目在1月、2月实现满产生产，月产13万片存储芯片。
SK海力士早在2005年就在无锡高新区建设了工厂，累计总投资超100亿美元。
2017年10月，SK海力士二工厂项目正式签约，在去年4月正式竣工，预计完全投产后，月产能将提升至18万片12英寸晶圆，海力士无锡公司也将成为全球单体投资规模最大、月产能最大、技术最先进的10纳米级DRAM产品生产基地。

文章插图
SK海力士在无锡的工厂竣工后
不过由于今年疫情影响，三星二期项目和SK海力士的无锡工厂推迟了大约3个星期。
而如果SK海力士能顺利收购英特尔NAND闪存业务，也将把生产非易失性存储器的大连英特尔工厂一并收之麾下。
其三，拉大技术差距，引入EUV技术。
EUV光刻技术是实现更先进芯片制程的关键技术，此前主要被用于生产7nm及以下的逻辑芯片，而今年，三星和SK海力士均释放了将其引入存储芯片生产线的讯号。
据韩媒报道，今年8月，三星“平泽2号”半导体工厂已开始运营，将生产全球首个基于EUV的移动DRAM产品。三星电子的一位发言人透露，使用EUV的1a工艺，生产效率是基于12英寸晶圆的1x工艺的两倍。
SK海力士也在加速推进基于1a工艺的EUV DRAM产品。此前SK海力士已在M16芯片厂园区内安装了两台EUV光刻机，计划将EUV技术应用于下一代DRAM芯片生产。
一台EUV光刻机造价超过1亿美元，数量又极其稀缺，迄今中国大陆企业产线尚未拿到一台EUV光刻设备。如果韩企基于EUV的DRAM产品落地，将进一步拉大与中国大陆企业间的技术差距。
结语：存储芯片市场竞争门槛升级如今存储芯片发展愈发集中，尤其是DRAM内存市场，持续向三星、SK海力士、美光三家聚拢。如果SK海力士最终成功收购和吸收英特尔NAND业务，全球存储芯片市场的大半江山都将成为韩企的囊中之物。
而从历史经验来看，争夺存储芯片市场将不可避免地需要更多资金的投入，这也意味着未来竞争的门槛进一步增高，其他玩家如想突围，将面临技术、成本以及市场的多重竞争。
参考资料：《财报就像一本兵法书》刘顺仁；《三星抑制存储产能赚取高利润国产存储芯片恐被狙击》铁流；《30多年前，日本是如何输掉芯片战争的？》魔铁的世界