国产|英飞凌的国产野望

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2020/11/12
无锡工厂扩产,英飞凌加速国产。
文丨王小西
编辑丨小叮当
作为全球最大的IGBT供应商,英飞凌(Infineon)的一举一动备受关注。近日的进博会上,英飞凌宣布将新增在华投资,扩大无锡工厂的IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)模块生产线。而扩产后的无锡工厂将成为英飞凌最大的IGBT生产基地之一。
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英飞凌科技CMO Jochen Hanebeck在现场对媒体表示:“无锡工厂升级扩能,将帮助英飞凌巩固其在全球IGBT业务的领导地位。”言外之意,这将巩固英飞凌的技术和成本优势,以加大在国内的投资应对中国各公司的挑战。
因为,随着国内新能源车市场逐渐成熟,中国公司也在迅速崛起,株洲中车时代、比亚迪半导体、士兰微电子、华微电子、华润微等,竞争开始激烈起来。
巨头之路
英飞凌是一家德国企业,在汽车半导体行业排名第二,内设四大部门:汽车IGBT、电源管理PMM、工业类IGC、智能芯片DSS。英飞凌最主要的业务是IGBT,根据行业专家介绍,目前其车规级IGBT产品销售份额市场占比约44%,工业级产品约18%。
从营收方面来讲,得益于汽车、动力和传感器系统业务的支撑,英飞凌今年第四财季(7~9月)较上季度上涨14.5%,达到24.9亿欧元(约29.45亿美元),而去年同期为20.6亿欧元。不过,其净利润同比下降32.3%,为1.09亿欧元(约1.29亿美元)。总的来说,其业务在飞速发展。
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说到IGBT,据IHS Markit统计,IGBT占驱动电机成本的一半、整车成本的7%-10%,可以是影响车辆扭矩和最大输出功率的关键零部件。据相关预测,到2030年,一辆智能电动汽车的电子元器件成本将会占到整车成本的50%。2025年汽车半导体市场规模有望超过1000亿美元,占全球半导体市场规模的比例有望达到15%。可以说,IGBT的潜力无限。
但是,由于IGBT生产需要的技术高,前些年一直垄断者欧美和日本的厂商手里,比如德系的英飞凌和赛米控,日系的富士和三菱。直到近年,国产的比亚迪和斯达半导等,才实现了部分领域的突破。
英飞凌是全球极少数采用IDM(Integrated Device Manufacturing)模式的垂直整合制造商,包含电路设计、晶圆制造、封装测试以及投向消费市场全环节业务,拥有自己的晶圆厂、封装厂和测试厂。
今年4月16日,英飞凌以90亿欧元成功收购美国同行赛普拉斯(Cypress)。由此,英飞凌一举超过老对手恩智浦(NXP),成为了全球业务最全面、体量最大的汽车半导体巨头。未来,“新英飞凌”将重点聚焦新能源汽车、自动驾驶及汽车舒适性配置三大领域。
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目前,英飞凌的工厂布局为:德国两个工厂,德累斯顿晶圆厂和瓦尔施泰因封装厂。匈牙利有一个封装厂,一个12英寸晶圆厂菲拉赫工厂在建,预计2021年年初投产。马来西亚,则是晶圆和封装一起的工厂,分两期建设。新加坡有一个测封厂。
国内,英飞凌有3个工厂,包括早在1995年在无锡高新区设立的第一家企业——英飞凌科技(无锡)有限公司。2015年,英飞凌在无锡增资,设立了英飞凌半导体(无锡)有限公司,生产IGBT模块。2017年,英飞凌还设立英飞凌无锡能力创新中心。此外,英飞凌还有苏州存储器工厂,以及北京stark套件风电变流器组装工厂。
研发方面,英飞凌今年在上海成立了一个全新的工业功率半导体产品开发团队,面向光伏、充电桩、电动大巴等本土客户,开发定制化半导体模块。而定制化半导体模块未来也将在无锡工厂投产。英飞凌还在深圳建设了新的能力中心,面向智慧城市、物联网等产业。
英飞凌的野望
从技术上来说,英飞凌的车规级IGBT芯片处于3代、4代,7代产品什么时候出台,目前还没有确切的信息。
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科普一下,英飞凌的3代、4代芯片不同于日系6代、7代芯片,其4代芯片相当于日系的6代和7代。英飞凌3代芯片产品应用已有15~20年,4代产品在国内发售也已超10年,技术成熟。
业内人士介绍,3代、4代芯片和7代的差别主要在于结温和工艺上的改变。3代芯片的最高结温是150摄氏度,4代芯片是175摄氏度,而第7代芯片能达到200摄氏度,结温的提升主要来源于芯片技术的升级和绑定线的变化,同时第7代芯片的工艺又进行了优化和升级。