显微红外热点定位测试系统|金鉴实验室 | 显微热点|定位|系统|实验室|红外

原题为：金鉴实验室 | 显微红外热点定位测试系统

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显微红外热点定位测试系统半导体器件作为现代科技社会的一大进步，却因为各种原因停滞不前，其中半导体器件故障问题一直是行业内的热点问题，多种多样的环境因素，五花八门的故障形式，使得制造商不知所措，针对此问题，金鉴采用法国的ULIS非晶硅红外探测器，通过算法、芯片和图像传感技术的改进，打造出高精智能化的测试体系，专为电子产品FA设计，整合出一套显微红外热点定位测试系统，价格远低于国外同类产品，同样的功能，但却有更精确的数据整理系统、更方便的操作体系，正呼应了一句名言“最好的检测设备是一线的测试工程师研发出来的！”。
金鉴显微红外热点定位测试系统已演化到第四代：配备20um的微距镜，可用于观察芯片微米级别的红外热分布；通过强化系统软件算法处理，图像的分辨率高达5um，能看清金道与缺陷；热点锁定lock in功能，能够精准定位芯片微区缺陷；系统内置高低温数显精密控温平台与循环水冷装置校准各部位发射率，以达到精准测温度的目的；具备人工智能触发记录和大数据存储功能，适合电子行业相关的来料检验、研发检测和客诉处理，以达到企业节省20%的研发和品质支出的目的。
红外显微镜系统(Thermal Emission microscopy system)，是半导体失效分析和缺陷定位的常用的三大手段之一（EMMI,THERMAL,OBIRCH）,是通过接收故障点产生的热辐射异常来定位故障点(热点/Hot Spot)位置。
存在缺陷或性能不佳的半导体器件通常会表现出异常的局部功耗分布，最终会导致局部温度增高。金鉴显微热分布测试系统利用热点锁定技术，可准确而高效地确定这些关注区域的位置。热点锁定是一种动态红外热成像形式，通过改变电压提升特征分辨率和灵敏度，软件数据算法改善信噪比。在IC分析中，可用来确定线路短路、 ESD缺陷、缺陷晶体管和二极管，以及器件闩锁。该测试技术是在自然周围环境下执行的，无需遮光箱。
金鉴显微红外热点定位测试系统优点：
高灵敏度的锁相热成像缺陷定位
配合电测，XRAY等对样品作无损分析
选配不同镜头，可分析封装芯片及裸芯片
对短路及漏电流等分析效果佳
0.03℃温度分辨率，20um定位分辨率，可探测uW级功耗
其他功能如真实温度测量，热的动态分析，热阻计算
相对于其他缺陷查找设备（EMMI,THERMAL,OBIRCH），价格可承受
与国外同类设备相比，金鉴显微红外热点定位测试系统优点显著：

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金鉴显微红外热点定位测试系统 VS OBIRCH
OBIRCH广泛用于芯片级分析和中等短路电阻，但挑战性低于10欧姆
金鉴显微红外热点定位系统一般具有较高的成功率
金鉴显微红外热点定位系统可兼容大样品、微米级样品测试
金鉴显微红外热点定位系统热点锁定功能可以显着扩大覆盖范围，降低漏电阻
金鉴显微红外热点定位系统支持长期在线监测热点缺陷异常
金鉴显微红外热点定位系统测试依据：GB/T 28706-2012 无损检测
金鉴显微红外热点定位系统可以对探测电源、芯片等短路漏电故障缺陷
热点锁定（lock in）功能：温度最高点定位聚焦过程只需要一秒

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应用领域：
PCBA短路热点失效分析、IC器件缺陷定位、升温热分布动态采集、功率器件发热点探测、集成电路失效分析、无损失效分析、细微缺陷探测、正向点亮漏电LED芯片,Vf偏低（左图）。反向测试芯片漏电流显示漏电流较大（右图）
测试结果：
显微红外热点定位热分布测试结果显示：漏电芯片上热分布不均，存在异常热点，热点即为芯片漏电缺陷点。

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存在缺陷或性能不佳的半导体器件通常会表现出异常的局部功耗分布，最终会导致局部温度增高。金鉴显微红外热点定位热分布系统，利用新型高分辨率微观缺陷定位技术，可在大范围内高效而准确地确定关注区域（异常点）位置。图示为在金鉴显微红外热点定位测试布设备下LED芯片漏电图：

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在金鉴显微红外热点定位测试系统中，不同模式调色板下的芯片漏电图如图所示显示：