光刻机|外媒：国产光刻机提前了？阿斯麦尔|芯片

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芯片能够一直向微缩方向前进， 5nm工艺量产后，还能继续向3 nm、2 nm发展，光刻机功不可没。尤其是EUV光刻机，更是高端制程芯片制程中最关键的核心设备。
可以说，光刻机决定了芯片工艺的技术水平。我们要在芯片上不被卡脖子，就必须突破光刻机。其实，相关机构也一直在努力，近日又传来了国产沉浸式光刻机消息。

光刻机按光源来分，主要有极紫外EUV、深紫外DUV和紫外UV三类，基本就是高端、中端和低端。低端的i线和g线等光刻机我们已经实现国产，高端EUV也在努力。

目前，国产光刻机还处于DUV阶段。而DUV光刻机也分三类，即KrF、ArF、ArFi 。前两种已经突破，国产最高可做到90nm ，可满足国内重要机构使用，不受国外限制。
那么，现在我们正在努力的就是ArFi光刻机，多出的这个i代表加入了沉浸式技术。

这个技术相当了不得，这是ASML能够超过原来的光刻机巨头尼康和佳能的关键。当时光刻机最高做到193nm波长，也就是ArF光刻机，再往下突破就遇到了瓶颈。

尼康和佳能当时坚持继续原来的干式技术，而此时台积电专家林本坚提出了一种沉浸式技术，即通过水为介质实现更短波长，即湿式技术，但尼康和佳能根本没理会。
而当时还较弱的ASML却大胆采用了这技术，从此实现超越，获得了较大的市场。

因此， ArFi沉浸式光刻机是个关键节点。一旦能够实现突破，那么就等于迈进了DUV光刻机中的高端行列，尽管只是入门级别，但再往下更新迭代，就会非常容易了。

那么，目前国产沉浸式光刻机的研发进展如何呢？之前有消息表示，将于今年年底前交付。最近又有相关媒体爆料，国产沉浸式光刻机已实现突破，将会很快到来。
对此，有外媒表示，不是年底前吗，难道提前了？具体情况会不会真的如此呢？

首先，国产核心部件陆续突破ArFi沉浸式光刻机最关键的就是这个沉浸式技术， ArF波长为193nm ，加入沉浸式技术后就可以达到134 nm ，波长越短光刻机就越先进，比如EUV波长是13.5 nm 。
近日好消息传来，中企在浸液控制系统上取得了重大突破。浸液系统是浸没式光刻机的四大核心部件之一，这就解决了国产ArFi沉浸式光刻机的几大核心技术之一。
还有双工件台、曝光光学系统、投影物镜等也都已突破，目前应该是在合围磨合。

其次， ASML行动有相关征兆对于国产先进光刻机的进展，恐怕ASML了解的更透彻，毕竟人家才是专业的。因此，从ASML的近期行动，我们可以看出征兆。对于国产光刻机，已改口不是不可能。
最近有个大的变化就是，今年第一季度，我们大陆成了ASML的第一大出货地，占比高达34% 。这说明， ASML在有意向大陆加大光刻机出货量，这极有可能在倾销。
目的当然是为了打压国产的进步，应该是获悉了国产ArFi沉浸式光刻机即将突破。

再者，内部人士也有相关爆料关于国产光刻机，我们一直在努力，甚至连EUV相关的技术也早就已布局。但大家不知道的是，今年以来在突破国产先进光刻机方面加大了力度，力争能够尽快突破。
近期有网友在网上曝光了一个聊天截图，谈话的内容就是关于国产先进光刻机的研发，表示已经下达了硬性任务，并且抽调了相关的很多机构研发人员，正在联合攻坚。
关于具体的进度并没有过多透露，不过意思表示，应该可以尽快取得重要进展。

从以上三点可以看出，国产沉浸式光刻机应该快了。一旦实现了这个关键节点的突破，接下来就能够做出更先进的DUV光刻机，这就解决了国产芯片制造绝大多数限制。