cmos|联电:在成熟工艺上过分内卷,开始押注第三代半导体

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cmos|联电:在成熟工艺上过分内卷,开始押注第三代半导体

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近来一段时间 , 联电大量采购新设备 , 进行产能扩产 , 传言今年下半年 , 就要铺设生产线 。 不少人感觉联电在芯片制程工艺方面 , 可能要迎来新的突破 , 编者仔细查找了一下资料 , 发现一些有趣的事情 。
第三代半导体有人认为现在第三代半导体材料火热 , 将来是要替代第二代芯片材料的 , 这样我们的手机以及电脑芯片的机会就来了 。 其实这本身就是错误百出 , 一 , 第三代半导体并不是替换第二代半导体的;二 , 现在大家所常用的手机以及电脑芯片 , 也并非是第二代半导体材料制成 , 而是一直都是第一代半导体材料中的代表:硅(Si)!
另外第一代半导体还有锗(Ge) , 其实锗比硅作为半导体材料的历史还要更久更广泛 , 但是这种材料有天生缺陷 , 在耐高温以及抗辐射方面都存在极大问题 , 结果被硅直接碾压 , 直到今天 , 硅都是全世界应用最多、最广泛的半导体材料 , 有人统计称超过95%的半导体、和超过99%的集成电路都是用硅半导体材料制造的 。

不要觉得夸张 , 事实就是如此 , 无论是我们的手机处理器 , 还是电脑CPU , 包括GPU , 主要材料一直都是硅 。 由此可见 , 人们在半导体领域对硅的需求量是如此的巨大 , 让人欣慰的是我们这个地球上 , 最不缺的就是沙子 , 而这也是硅最主要的来源 。
那么第二代半导体材料是指哪些呢?典型代表则为:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP) 。
估计很多人对这些材料有些陌生 , 其实也不奇怪 , 因为这些材料本身就有点远离我们的日常 , 比如它们常被应用于卫星通讯、移动通讯、光通信、卫星导航等领域 , 这些都属于高精尖领域 , 我们虽然也在使用这些领域的产品功能 , 但是却和我们有点不沾边 。
无论是砷化镓(GaAs) , 还是磷化铟(InP) , 还是其他的第二代半导体材料 , 特点都是电子迁移率高 , 可用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件 , 比如光芯片等 , 所以上述应用领域也基本上属于通信通讯领域 , 包括高性能微波、毫米波器件及发光器件的制造等 。
至于现在火热的第三代半导体 , 则是进入到21世纪以后所发展起来的半导体材料 , 人们的关注点一般都是氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC) , 除此之外还有氧化锌(ZnO)等材料 。
【cmos|联电:在成熟工艺上过分内卷,开始押注第三代半导体】第三代半导体材料有几个特点 , 击穿场强、功率密度高 , 包括更宽的禁带宽度、更高的导热率、更高的抗辐射能力以及更大的电子饱和漂移速率等特性 。 因为这些特性 , 所以更适合当作高温、高频、抗辐射的材料 , 比如高频芯片、高压芯片及大功率电子器件的材料 , 具体应用就包括当下已经成为潮流的快速充电、新能源汽车 , 另外还有5G基站 。
尤其是在后面两个领域 , 是支撑智能、绿色、可持续发展电气化之路的关键 , 也可以说这些都是国与国决胜未来的关键领域 , 所以说 , 这一点无论是我们国家还是其他发达国家 , 基本上都在争先投入 。 而对于想在晶圆代工领域分一杯羹的芯片代工厂来说 , 那就更加需要在这方面进行投入了 。

互补而非替代随着第三代半导体材料的火热 , 不少人感觉到属于国产芯片的机会来了 , 甚至是认为不需要使用那么先进的工艺 , 也可以实现芯片性能的突破 。 说实话 , 看到上面有关半导体材料的发展以及应用 , 我们就可以发现 , 第三代半导体的出现 , 并非是为了取代第一代半导体的 , 要说使用第三代半导体材料来制造芯片 , 用于取代硅芯片 , 现在看来 , 可能性不大 。
天天喊着弯道超车 , 有种自欺欺人的感觉 , 最起码我们应该了解 , 第三代半导体生产设备材料和现在的CPU制造设备、工艺、材料等不大致上是一样的 , 恐怕知道了这一点我们就会发现 , 在光刻机、刻蚀机、离子注入机、薄膜沉淀等方面 , 我们还是需要一步步进行推进、攻关的 , 同样也是快不得的 。
一段让人唏嘘的故事说起来现在的芯片代工 , 很多人想到的都是台积电 , 还有三星 , 感觉到联电