小米科技|外媒：要正视中国产光刻机 MIUI

文章图片

文章图片

文章图片

文章图片

文章图片

文章图片

说到光刻机，大家可能能够想到的，就是来自荷兰的ASML 。
诚然， ASML目前在光刻机市场占据多数市场份额，也是EUV光刻机的独家供应商。
目前我们的国产光刻机，从所支持的制造工艺来看，只能支持到90纳米，测试用可支持到65纳米。

貌似与ASML目前能够支持到3纳米有着较大差距，不过近日有国外科技媒体表示，其实要正视中国的光刻机。
光刻机是一种非常精密的仪器，事实上对光刻机有所了解的人并不多，大多数人对光刻机的认知，除了知道它用于制造芯片，更多的就是它支持的制造工艺是多少纳米。
其实这都是对光刻机比较表面的了解。

目前的光刻机可以分为两个大类，分别是EUV和DUV ， EUV光刻机大家已经熟悉了，但是DUV其实大家很不是很了解。

DUV光刻机也包括两个大类，分为浸入式和干燥式，浸入式为ARFi光刻机，干燥式分为三种，分别是i-line、KRF和ARF三种光刻机。
按照光刻机的发展先后顺序，分别是i-line、KRF、ARF、ARFi和EUV 。

一个主要区别在于光源的波长，分别是365纳米、248纳米、193纳米、等效134纳米和13.5纳米。
ARF和ARFi的原始波长都是193纳米，只不过ARFi是浸入式，加入了超净水层，所以光线竟折射后等效为134纳米。
目前的高端光刻机，就是EUV和ARFi这两种。

【小米科技|外媒：要正视中国产光刻机】下面就要仔细的聊聊，光刻机所支持的制造工艺，这方面很多朋友都误解了，首先要谈及光刻机的分辨率。
先说ARFi光刻机，这种光刻机虽然属于DUV ，但是依然可以做到支持5纳米工艺，不过期最大分辨率只有38纳米。
事实上， DUV光刻机的最大分辨率都只能做到38纳米。

在进一步来说，我们看到的所谓28纳米、14纳米、7纳米等DUV光刻机，分辨率都是38纳米。
在EUV光刻机上也有同样的情况， ASML先后量产的3400B、3400C和3600D ，分别可以支持7纳米、5纳米和3纳米工艺，但是分辨率都是13纳米。

之所以会出现这样的情况，是因为决定分辨率的因素上，两大硬件已经确定，分别是光源的波长和物镜的数值孔径。

所以光刻机要实现工艺突破，关键是突破光源和物镜两大关键。
以ASML为例，其研发EUV光刻机用了20年，主要就是突破了新的光源和物镜，当第一代产品量产后，后续几乎每两到三年，即可升级一次。
好，我们再回到国产光刻机上。

国望光学是国产光刻机的物镜曝光系统供应商，其新建工厂已经进入设备采购阶段，预计下半年会进入设备导入阶段，明年会交付28纳米及以下工艺的产品。
这意味着，明年国产28纳米光刻机即将交付。
好，上面我们已经提到， DUV光刻机的最大分辨率只能做到38纳米，而明年我们要量产的是28纳米光刻机，这就意味着，国产光刻机已经突破了38纳米最大分辨率这个门槛。

这就好比ASML突破了EUV光刻机的门槛一样，后续我们的光刻机发展，也会像ASML更新EUV光刻机一样快，甚至更快。
因为根据ASML的发展历史来看，其突破28纳米工艺后，用了4到5年的时间，就将工艺推进到了7纳米。
此外，我们在EUV光刻机的研发上，与DUV是同步的，没有先后的顺序。

根据查询国内在EUV方面的专利积累以及中科院方面的动态来看， EUV光刻机相关核心部件的研发，已经进入实质阶段。

根据预计，当DUV光刻机发展到7纳米工艺时， EUV光刻机应该初步具备了原型机的水平，所以在时间节点上，是可以做到衔接的。