说到这里 , 想必很多网友会有一个谜团 , 就是DUV光刻机38纳米分辨率 , 是怎么可以生产7纳米芯片的 , EUV光刻机13纳米的分辨率 , 又是怎么可以生产3纳米芯片的 。
这就要涉及一种被称作“分辨率增强”的技术 , 其实这是一个技术合集 , 包括离轴照明、光学邻近校正、移相掩模和次分辨率辅助图 。
当然 , 在为了实现更小的关键尺寸上 , 还采用了多重曝光、计算光刻等技术 。
总之 , 光源和物镜系统 , 是决定光刻机的分水岭 , 而包括分辨率提升等在内的技术 , 可以对光刻机进行升级 , 来继续提升光刻机的分辨率水平 , 但是难度就要小得多 。
所以目前我们已经突破了38纳米分辨率这个节点 , 就意味着与ASML之间的差距主要就是EUV了 。
因此外媒就表示 , 要正视中国的光刻机 , 在技术上 , 并没有90纳米与3纳米这种表面数字上的巨大差距 。
况且就连ASML自己的自信心也都开始动摇 , 就在今年年初 , ASML总裁就对外表示 , 中国不是没有可能独立制造出顶级光刻机 。
所以 , 我们需要对我们自己的光刻机有更多的认识 , 同时也要有更多的理解 , 因为即便是技术到位了 , 量产也需要时间 , 后续还有产能爬坡阶段 。
还是那句话 , 对我们自己的光刻机要正视的看待 , 对此大家怎么看呢?欢迎评论区评论、点赞和转发 。
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