半导体|“晶通半导体”获中芯聚源数千万元天使轮融资天使轮|芯片|创投圈

亿邦动力网5月9日消息，第三代半导体氮化镓功率器件和功率器件驱动芯片创新厂商“晶通半导体”宣布获得中芯聚源数千万元独家天使轮融资，投资方为聚源资本-中芯聚源。据了解，本轮融资完成后，晶通半导体将在欧洲和中国持续扩大研发团队、加大研发力度，丰富驱动芯片和氮化镓器件的产品线。

【半导体|“晶通半导体”获中芯聚源数千万元天使轮融资】公司公开资料显示，晶通半导体（深圳）有限公司创立于2020年，并于今年3月在瑞士国家创新园（Switzerland Innovation Park）设立欧洲研发中心。晶通半导体专注于宽禁带半导体氮化镓功率器件与驱动芯片在电力电子领域中的应用，主要提供高可靠性、高性能的智能氮化镓电子解决方案，目前有多项发明专利和集成电路布图正在申报，首批十余款芯片目前处于研发和内部测试阶段，涵盖消费类电子、数据中心等市场。
氮化镓是一种新型半导体材料，广泛应用在航天和军事领域，具有超强的导热效率、耐高温和耐酸碱特性，最终令充电器不仅可以小体积和轻重量，在充电功率转换上相比同功率充电器也更具优势。氮化镓材料禁带宽度大、临界击穿电场高、电子迁移率较高、饱和漂移速度高及导热率大。高的禁带宽度使其具有较低的本征泄露电流和较高的工作温度。在相同击穿电压下，氮化镓材料的高临界击穿电场可以使漂移区厚度可以比硅器件小十分之一左右，体积更小，寄生参数更小，更适合高频工作，导热率越大，说明其传递热量的能力越强，则更适于高温环境，能够有效减少系统尺寸，提高功率密度，并族中降低系统成本。
智慧芽数据显示，晶通半导体目前共有3件已公开的专利申请，均为发明专利，主要与衬底层、晶体管等领域有关。