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就目前来说 , 光刻机是生产芯片的必备设备 , 特别是EUV光刻机 , 简直是供不应求 , 因为只有EUV光刻机能够生产7nm及以下制程的芯片 。 然而EUV光刻机并不好获取 , 原因有二 。
首先是EUV光刻机不能自由出货 , 其生产制造商ASML必须要遵守相关规定 , 对于美方禁止出售的地区及企业是无法购买到EUV光刻机的 。 不仅如此 , 美方之前还修改了规则 , 进一步收紧了EUV光刻机的供货对象 。
其二 , EUV光刻机的生产数量有限 。 要知道 , EUV光刻机是十分精密的芯片制造设备 , 虽然其售价高昂 , 但是其制造难度也非常大 , ASML一年也仅能出货40多台 。 而这40多台EUV光刻机基本被台积电、三星等芯片制造企业龙头所包圆 , 其他企业想要购买 , 真的很难 。
而目前全球又处于芯片供应紧张的大环境 , 汽车领域和手机领域都受到了严重的影响 。 为了能够缓解缺芯的情况 , 各大企业都开始各显神通 , 故而有外媒评论:这是准备“抛弃”EUV光刻机了吗?
先说日本企业 , 佳能和铠侠就在联合研发NIL工艺 。 据悉 , NIL工艺可以绕开EUV光刻机生产出5nm芯片 , 并且还能节约90%的制造设备成本以及电力成本 。 按照佳能、铠侠推动NIL工艺的进度 , 预计在2025年就能实现量产5nm芯片 。 这样一来 , EUV光刻机自然就用不上了 。
而美企则将目光锁定到了提升封装工艺上 。 英特尔就表示未来的工作重点是提升封装工艺 , 将芯片变成芯片粒 , 如此就能进一步提升芯片的性能 。 而苹果更是已经开始落实了 , 其发布的MI ultra芯片就是利用两颗M1 max芯片封装到一起来提升芯片性能的 。
美企通过提升封装工艺来提升性能 , 其实跟华为之前宣布通过堆叠来提升性能有异曲同工之妙 。 本质上都是用封装工艺将芯片堆叠 , 换句话说 , 未来两颗14nm工艺的芯片堆叠 , 利用先进的封装工艺就能达到7nm芯片的性能 。 而生产14nm制程芯片的DUV光刻机售价也可比制造7nm制程芯片的EUV光刻机便宜不少 , 这也可以为企业节省成本 。
最后在说一下俄方 , 因为众所周知的原因 , ASML同样不能向俄方出售EUV光刻机 。 但是俄方经过此事也意识到了半导体领域的重要性 , 故而也决定从源头上解决问题 , 那就是自己研发光刻机 。
据了解 , 俄方相关部门与莫斯科电子学院达成了合作 , 将会向其投资6.7亿卢布用于研发X射线光刻机 。 因为X射线光刻机具备波长短、分辨率高的特点 , 其光刻的精度就媲美EUV光刻机 。 不仅如此 , 因为其在生产时不需要用到光掩模板 , 这也使X射线光刻机所生产芯片成本更低并且良品率提高 。
【光刻机|准备放弃EUV光刻机了?外媒:ASML慌了!】不得不说 , 各国都在各显神通的研发半导体相关技术 , 这也意味着大家或许开始计划“抛弃”EUV光刻机了 。 而EUV光刻机却是ASML的主要营收来源 , ASML还提出 , 想要将EUV光刻机的普及率提升至60% , 如今大家却都在研发新技术绕开EUV光刻机 , 难怪外媒要说ASML慌了!
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