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“缺芯”问题在这两年来一直是被热烈讨论的热词 ， 一方面是由于手机和高端电子设备进入了发展的快车道 ， 另一方面是由于华为等大企业芯片供应被停止 ， 为了尽可能多地囤货 ， 有能力量产的大规模芯片代工厂产能也向他们倾斜 。

再加上在“瓦纳森协定”的影响下 ， 在该协定成员范围内的企业不允许出售相关技术设备 。 这也直接导致了ASML公司无法自由出货EUV光刻机 。
但现在随着科技技术的进步 ， 电子设备的精密度越来越高 ， 高制程芯片越来越不可或缺 ， 对于7nm制程以下的芯片需求量越来越大 。 如果想要解决这个难题 ， 就必须绕过EUV光刻设备自研出出新的芯片工艺 。
在这个背景下 ， 很多芯片大厂以及一些相关的半导体企业都纷纷展开了对于高制程芯片工艺的自研 。

梁孟松正式宣布进军7nm在四月中旬 ， 就有消息称中芯国际（SMIC）要正式进军7nm制程了 。 中芯国际是否真的能绕开EUV光刻机产出7nm芯片呢？让我们带着问题一探究竟 。
根据中芯国际联席CEO梁孟松发布的公告 ， 目前中芯国际已经完成了7nm芯片的研发设计任务 ， 接下来就是进入风险试产阶段 。
梁孟松表示：到中国大陆本就不是为了谋取高官厚禄 ， 而是单纯地想为大陆的高端集成电路尽一份心力 。 在任职这段期间 ， 带领了2000多位工程师 ， 经过共同地努力 ， 夜以继日拼搏攻克难题 ， 尽心竭力地完成了从28nm到7nm共五代的技术开发 。

梁孟松作为不折不扣的技术大拿 ， 在美国就参与了多达181件半导体关键技术的专利发明 ， 在台湾和美地区发表了多达350篇的技术论文 。 在台积电任职时期 ， 更是作为开发14nm工艺的主力 。
在梁孟松加入中芯国际后 ， 中芯国际在先进制程工艺上突飞猛进 ， 2018年10月成功研发出14nmFinFET工艺 ， 2019年2月突破了12nmFinFET 工艺 ， 华为的麒麟710A就是由中芯国际代工生产的 。
在梁孟松的带领下 ， 目前中芯国际已经能够实现28nm、14nm、 12nm 以及n+1等技术的规模量产 。 其中7nm技术的开发也已经完成 ， 2022年四月就可以马上进入风险量产 。

不仅是7nm制程 ， 在5nm和3nm制程最关键的8大项技术也已经在有序进行中 ， 这在一般公司至少需要耗费十年以上的时间才能达成 。
中芯国际的技术发展到哪里了？中芯国际作为全球第五大先进半导体产业 ， 目前宣布进军7nm制程的也就剩下台积电（tsmc）、三星（Samsung）和中芯国际了 。
根据了解 ， 中芯国际在当前能实现量产的最先进制程是14nm制程 ， 它主要用于智能手机领域 ， 但它不是作为手机的处理器 ， 而是用于CIS（图像传感器）方面 。 众所周知 ， 智能手机对芯片要求极高 ， 制程至少得是7nm才行 。
在先进制程工艺方面 ， 中芯国际的FinFET（鳍式场效应晶体管）工艺在28nm制程上是最为成熟的 ， 月产达到十多万片 ， 目前还在加码 ， FinFET14纳米及以下制程的良率高达95% 。

在FinFET工艺的基础上 ， 中芯国际还研发出第二代N+1、N+2工艺 ， 根据梁孟松此前发布的信息来看 ， 与14nm工艺相比N+1技术的性能提升了至少20% ， 逻辑面积也缩小了63% ， 降低了57%的功耗 ， SoC面积也减少了55% 。
而N＋2工艺与N+1工艺的主要区别在于性能和成本上 ， N＋2主要是面向高性能的 ， 单位面积晶体管密度大幅提度高 ， 因此成本也随之增加 。
梁孟松表示 ， N＋1工艺在功耗及稳定性上跟7nm工艺是非常相似 ， 但因为N＋1主要面向低功耗应用的 ， 所以性能要比7nm低一些 。
发展到现在 ， 中芯国际的8英寸晶圆产能已经能达到月产10万片的稳定量产了 ， 预计在今年下半年要超过15万片以上 。

对于7nm工艺的研发 ， 早在2020年中芯国际就已研发多时 ， 有了成熟8nm技术的基础 ， 想必7nm技术应该也不会差到哪里去 。
【芯片|中芯梁孟松正式宣布！事关国产7nm芯片，可以不用EUV光刻机？】