台积电|台积电称即将完成 N3E 节点 it芯片

台积电正在开发多个 N3 节点，目前至少 N3、N3B 和 N3E 正在开发中。 N3 计划于 2023 年投产， N3E 节点原定于 2024 年投产，但现在看来它会提前准备就绪。 N3E 节点原本是 N3 节点的增强版本，但现在它似乎更像是一个替代节点，基于更少的 EUV 层，据说从 25 层降至 21 层，这将使其更容易制造。

根据摩根士丹利的详细信息，N3E 节点的密度比原始 N3 节点低 8% 左右，但仍比 N5 节点高 60% 左右。相比之下，据说 N3 节点的逻辑密度比 N5 节点高 70% 。该报告表明， N3E 节点可能会在本月底完成，这意味着从 23 年第 3 季度到 23 年第 2 季度，整个季度的生产可能最终会被拉动。
N3E 节点“具有改进的制造工艺窗口，具有更好的性能、功率和产量” ，因此我们可能会看到 N3E 节点被几乎所有正在寻求制造高性能硅的人用于未来产品。
【台积电|台积电称即将完成 N3E 节点】N3E 节点的产量也高于 N3B 节点，据说 N3B 是针对某些客户的 N3 的改进版本。目前对 N3B 节点知之甚少。