芯片|国产17nm工艺内存芯片良率已达40% Q2首发供应DDR4

芯片|国产17nm工艺内存芯片良率已达40% Q2首发供应DDR4

经过几年的追赶 , 国产DRAM内存芯片由合肥长鑫在2019年量产 , 首发的是19nm工艺 , 今年合肥长鑫就要推出下一代的17nm工艺内存芯片了 , 不过首发产品不是传闻中的DDR5 , 而是DDR4 。

来自大摩的分析称 , 合肥长鑫的17nm工艺DRAM芯片良率已经达到了40% , 预计Q2季度就会给客户供应产品 , 其成本相比台系厂商的20nm、25nm工艺内存更有优势 。
至于生产方面 , 大摩称合肥长鑫的产能今年会增加到8万片晶圆/月 , 并在北京新建工厂 , 量产17nm工艺内存芯片 。
此前的报道中 , 长鑫还会研发7nm及以下工艺的DDR5、LPDDR5等内存 , 再下一代的10G5工艺中 , 除了DDR5、LPDDR5之外还有GDDR6显存 。
【芯片|国产17nm工艺内存芯片良率已达40% Q2首发供应DDR4】此外 , 长鑫在2020年、2021年分别实现了4.5万片晶圆/月、6万片晶圆/月的目标 , 2022年的产能目标是12万片晶圆/月 , 未来的产能目标是30万片晶圆/月 。