烟草味道|闪存仅4年打破美韩垄断，再投1700亿！中国存储器基地二期开建存储器我们应该对他不陌生

存储器我们应该对他不陌生，毕竟从我们开始接触智能手机以来我们就一直在用它，现在我们的手机存储空间越来越大，性能也越来越好这都要归功于我国这里面在芯片领域的发展以及存储器上的研究。说到存储器，最值得一提的是我国的国家存储器基地这一大工程的建设。
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据了解，我国国家存储器基地这个项目总共有两期工程，一期工程已经建设完毕了，紧接着的就是二期工程的建设，二期工程在2020年的6月中旬也开始了建设，其中二期工程一期工程都有一个特点那就是建设地址都位于武汉，只是二期工程的具体地址是武汉东湖高新区。
这一个总投资约1700亿元的国家存储器基地二期终于开始建设，这一个中国研发生产3DNAND闪存芯片
的重点项目二期工程建设完成以后目标是实现每个月30万片的产量。?

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我国在芯片领域的发展本来就不是特别好，他的相关领域肯定也会受到影响就像存储器，现在韩国三星、海力士
所以我国建立国家存储器基地，我国在这一领域可以说是从无到有，两年多一点的时间就能够实现128层的堆栈闪存，这真的是中国速度，从无到有的中国速度。
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这是从2017年11月开始的，那时候我国攻克32层3DNAND闪存， 2020年4月长江存储又直接96层宣布攻克128层堆栈闪存，我国取得这些突破只用了4年的时间，从没有到一流水平。
虽然说国家存储器基地二期工程要投入大学1700亿元建设，但是未来对于我们整个国家的作用是巨大的，谁也说不清到底未来其他国家能不能保住第一的位置，所以我国只要在相关领域继续研究，那么就一定能够取得突破。
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