驱动之家|闪存三星 870 QVO SSD 拆解探秘：缓存外写入速度惨不忍睹，QLC 一年半之前

一年半之前，三星发布了旗下首款消费级QLC闪存SSD860QVO ，现在第二带来了，它就是870QVO 。
虽然很多人对于QLC闪存非常抗拒，但正如之前的TLC ，这是不可逆转的趋势，只能慢慢接受，当然厂商在涉及产品的时候也会有相应的权衡，比如QLC闪存初期就不会用于高性能NVMeSSD ，而是主打主流大容量，三星870QVO就是SATASSD ，而且首次做到了8TB 。
870QVO的诚意还是满满的，比如V-NAND闪存从64层升级到92层，单Die容量1Tb ，只需八颗就能组成一颗1TB容量的闪存芯片，同时主控也从MJX升级到MKX ，不过并未公布任何技术更新、固件变化，相信只是一次小更新。

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下边先看看拆解图，再了解一下性能，尤其是缓存之外的写入性能。

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左右分别是4TB、1TB的电路板正反面。很显然， 1TB、2TB只需一颗和两颗闪存芯片，再加一颗主控、一颗缓存就搞定了，所以PCB非常短小精悍， 1TB的留了个空焊位。 4TB的正反各两颗闪存芯片，补上四个空焊位那就是8TB 。

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即便是4TB、8TB的电路板，放在标准的2.5寸盘体内，也是很小巧。

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【驱动之家|闪存三星 870 QVO SSD 拆解探秘：缓存外写入速度惨不忍睹，QLC】这是三星MKX主控和LPDDR4缓存。

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870QVO系列的详细规格， 1/2/4/8TB型号分别搭配1/2/4/8GBLPDDR4缓存，同时还设置了SLC缓存以提升性能， 2/4/8TB的都有78GB ， 1TB则只有42GB 。
在写入的时候，一旦用完这些SLC缓存容量，就会回归到QLC的本质，性能自然大大降低， 1TB的落差尤其巨大。
根据官方数据， 870QVO系列的持续读取速度都是560MB/s ， SLC缓存下的持续写入都是530MB/s ，但是QLC闪存下， 2/4/8TB型号的持续写入会降至160MB/s ， 1TB的更是只有80MB/s 。
随机性能方面， 1TB的读取也不受影响，但是写入损失比较大，尤其是QD32队列深度的时候，随机读写会分别降低40％、48％。
寿命上倒是保持一致，都是每天0.33次全盘写入，质保五年，最大写入量360TB、720TB、1440TB、2880TB ，而一般的消费级QLCSSD只有每天0.1-0.15次，即便是五年质保写入量也不如870QVO 。
AnandTech已经对870QVO进行了详细的测试，其他没什么意外，这里只看看缓存内外的写入情况。

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QD32队列深度， 128KB数据块，缓存内持续写入速度都可以达到标称的530MB/s左右，而在缓存耗尽之后，速度瞬间就跌了下来， 1TB80MB/s左右， 4TB164MB/s左右，同样完美符合标称。