与非网■台积电最新策略：砸钱( 四 ) 2019年台积电营收346.3亿美元

InFO技术的巨大成功推动制造业、封测业以及基板企业投入了大量人力物力开展三维扇出技术的创新研发。业界也发现，很多原本需要2.5DTSV转接板封装可以通过三维扇出来完成，解决了TSV转接板成本太高，工艺太复杂的问题。
根据不同产品类别，台积电的InFO技术发展也将随之进行调整，推出适用于HPC（HighPerformanceComputer）高效能运算电脑的InFO-oS（InFOonsubstrate）、服务器及存储器的（InFOPackageon-Package ， InFO-PoP），以及5G通讯天线封装方面的InFO-AiP（InFOAntennasinPackag）。

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InFO-oS

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2018年台积电推出InFO_oS技术用于并排封装两个芯片，芯片与芯片之间的互连为2um 。芯片之间的间隙小于70um；InFO_MS和InFO_oS基本相同，但在SoC旁边带有HBM（高带宽内存）。
3、SoIC
台积电表示， SoIC是一种创新的多芯片堆叠技术，是一种将带有TSV的芯片通过无凸点混合键合实现三维堆叠，可以交多个小芯片（Chiplet）整合成一个面积更小和轮廓更薄的系统单芯片。透过此项技术， 7纳米、5纳米甚至3纳米的先进系统单芯片能够与多阶层、多功能芯片整合，可实现高速、高频、低功耗、高间距密度、最小占用空间的异质三维集成电路。

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SoIC技术的出现表明未来的芯片能在接近相同的体积里，增加双倍以上的性能。这意味着SoIC技术可望进一步突破单一芯片运行效能，更可以持续维持摩尔定律。
据悉SoIC根植于台积电的CoWoS与多晶圆堆叠（WoW ， Wafer-on-Wafer）封装， SoIC特别倚重于CoW（Chip-on-wafer）设计，如此一来，对于芯片业者来说，采用的IP都已经认证过一轮，生产上可以更成熟，良率也可以提升，也可以导入存储器芯片应用。
2019年年报显示，台积电已完成SoIC制程认证，开发出微米级接合间距（bondingpitch）制程，并获得极高的电性良率与可靠度数据，具备为任何潜在客户用生产的能力。而此前在2018年10月的第三季法说会上，台积电给出了明确量产的时间， 2021年SoIC技术就将进行量产。
4、其他
针对先进行动装置及高效能运算的应用，采用细小间距阵列铜凸块（Cubump）倒装（FlipChip）的7纳米晶圆已于2018年第一季开始量产。除了高阶先进手机内使用的28奈米产品及更成熟技术外,适用于物联网应用的16奈米制程的晶圆级封装（WaferLevelChipScalePackaging,WLCSP）技术亦于民国一百零七年第四季开始量产。
台积电的CoWoS、InFO、SoIC及其他封装技术能对10纳米或以下的制程进行晶圆级的键合技术，极大的强化台各积电在先进工艺制程的竞争力。
【与非网■台积电最新策略：砸钱】台积电除了提供内部CoWoS和InFO服务外，还通过外包的组装和测试合作伙伴管理整个供应链，从而为客户提供集成的制造、封测、运输的交钥匙服务，帮助客户缩短上市时间和缩短批量生产时间。