与非网■台积电最新策略：砸钱( 二 ) 2019年台积电营收346.3亿美元

台积电第一个使用极紫外光（EUV）方案的工艺是7纳米加强版（N7+）。 N7+于2018年8月进入风险生产阶段， 2019年第三季开始量产， N7+的逻辑密度比N7提高15%至20% ，同时降低功耗。
7纳米之后是6纳米（N6）。 2019年4月份推出的6纳米是7纳米的（shrink），设计规则与N7完全兼容，使其全面的设计生态系统得以重复使用，且加速客户产品上市时间，但N6的逻辑密度比N7高出18%的。 N6将在2020年第一季风险试产，第三季实现量产。
7纳米之后的全节点提升的工艺是5纳米（N5）。 5纳米完全采用极紫外光（EUV）方案，于2019年3月进入风险生产阶段，预期2020年第二季拉高产能并进入量产。主力生产工厂是Fab18 。与7纳米制程相较，但5纳米从前到后都是全新的节点，逻辑密度是之前7纳米的1.8倍， SRAM密度是7纳米的1.35倍，可以带来15%的性能提升，以及30%的功耗降低。 5纳米的另一个工艺是N5P ，预计2020年第一季开始试产， 2021年进入量产。与5nm制程相较在同一功耗下可再提升7%运算效能，或在同一运算效能下可再降低15%功耗。
5纳米之后的全节点提升的工艺是3纳米，台积电表示正在研发中，虽然制程细节2020年4月将见分晓。但根据一些细节发现，台积电3纳米工艺继续采用FinFET工艺，晶体管密度达到每平方毫米2.5亿个（250MTr/mm2），相对于5纳米来说，晶体管密度提升达1.5倍，性能提升7% ，能耗减少15% 。
而2纳米，台积电表示已经于2019年领先半导体产业进行制程技术的研发，并将着重于改善极紫外光（EUV）技术的质量与成本。
大规模资本支出，扩大产能
日前，台积电宣布， 2020年的资本支出将在150-160亿美元之间，这将成为台积电资本支出最大的一年。
2000年资本支出首次超过10亿美元， 2010年资本支出首次超过50亿美元， 2016年资本支出首次超过100亿美元。从2000年到2019年资本支出合计达1150亿美元，而从2016年到2019年的资本支出是464亿美元，占近20年资本支出总和的40% 。大规模资本支出带来的是庞大的产能支持。
截至2019年底，台积电全球有五座12英寸晶圆厂（新竹FAB12、台南FAB14、台中FAB15、南京FAB16、台南FAB18）、六座8英寸晶圆厂（新竹FAB3、新竹FAB5、新竹FAB6、新竹FAB8、上海FAB10、美国FAB11）和一座6英寸晶圆厂（新竹FAB2），年产能超过1200万片12英寸晶圆约当量。

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我们下面来了解一下台积电的FinFET产能建置情况。
台积电最早生产FinFET始于2014年，目前FinFET工艺有5个基地，分别是位于台湾新竹的FAB12、台湾台南的FAB14和FAB18、台湾台中的FAB15和江苏南京的FAB16 。各工艺节点的布局是， 16/12纳米由FAB14和FAB16负责生产，合计月产能约15万片；7纳米由FAB15负责生产，合计月产能约15万片；5纳米主要在FAB18生产，目前FAB18P1/P2的建置产能达10万片。
当然FAB12是台积电的研发基地，各工艺节点的产能都可以协调。如此算来，台积电的FinFET月产能总计不下于40万片12英寸晶圆。相较三星的月产能25万片12英寸晶多60%
关于3纳米产能建置情况，因疫情导致物流延迟，相关关键设备无法如期交货，装机人员也受到境外人士不能抵台等限制，无法如期装机。台媒报道称， FAB12B工厂3纳米试产线装机从6月延至10月， FAB18工厂3纳米试产线装机从10月也将延迟1个季度。台积电原订今年底提前试产3nm制程计划，将延至明年初才会试产，但应会如原先预定在2022年量产。
至于在3纳米工艺上的资金投入更是天文数字，据称研发和建线已投入约500亿美元，仅建厂一项就在200亿美元。 3纳米产线将于2020年动工，在新竹宝山兴，建预计投资超过新台币6000亿元兴建3纳米宝山厂，最快2022年底量产。