三极管知识最详细解释版本什么是三极管 _知识

什么是三极管(三极管知识最详细版)“晶体管，半导体的基本元件之一，具有电流放大的作用，是电子电路的核心元件”
在电子元件家族中，三极管属于半导体自动化元件中的分立元件。

广义来说，三极管有很多种，常见的如下图所示。

狭义的三极管是指双极型三极管，是最基本最通用的三极管。

本文介绍狭义三极管。其他内容，请点击以下链接:

三极管的发明
晶体管出现之前，确实空。用于在电子电路中放大和转换电流的电子三极管。

真空电子管有一些缺点，比如重量大，耗能大，响应慢。

二战期间，军事上急需一种稳定、可靠、快速、灵敏的电信号放大器，二战结束后才取得研究成果。

在早期，因为锗晶体容易获得，锗三极管是一个重要的研究和应用。硅出现后，因为硅管生产工艺效率高，锗管逐渐被淘汰。

经过半个世纪的发展，已经出现了多种多样、形态各异的三重奏。

低功率三极管一般封装在塑料中；大功率三极管一般用金属铁壳封装。
三极管核心结构

是核心“PN结” 。
是两个背靠背的PN结。
可以是NPN组合，也可以是PNP组合。

由于硅NPN晶体管是目前的主流，以下内容很重要。以硅NPN晶体管为例:

NPN三极管结构示意图

硅NPN三极管的制造工艺

模具结构剖视图

工艺结构特点:

发射区高掺杂:为了便于发射结发射电子，发射区半导体掺杂浓度高于基区，发射结面积较小；

基区标准很薄:3~30m，掺杂浓度低；

集电区面积大:集电区和发射区是同一性质的掺杂半导体，但集电区掺杂浓度低，面积大，便于收集电子。

一个三极管不是两个PN结拼凑而成的，两个二极管也不能组成一个三极管！

技术结构在半导体工业中非常重要。PN结不同的材料成分、尺寸、排列方式、掺杂浓度和几何结构可以各种元件，包括集成电路。

三极管符号

三极管电流控制原理示意图

基本三极管电路

施加的电压使发射极节点正向偏压向红豆博客，集电极节点反向偏压。

集电极/基极/发射极电流关系:
IE = IB + IC
IC = * IB
如果IB = 0，则IE = IC = 0
三极管的特性曲线

输入特性曲线

集电极-发射极电压UCE为一定值时基极电流IB与基极-发射极电压UBE的关系曲线。

是超级三极管启动的临界电压，会受到集电极和发射极电压的影响。正常工作时，NPN硅管的启动电压约为0.6V；

UBE&ltUBER，三极管绝缘程度高，ube >: UBER，三极管会启动；

UCE增大，特性曲线右移，但当UCE >:1.0V后，特性曲线几乎不动。

输出特性曲线

当基极电流IB恒定时，集电极IC和集电极-发射极电压UCE之间的关系曲线是一组曲线。

当IB=0时，IC→0，表示三极管处于关断状态，相当于开关关断；

当IB >: 0时，IB的微小变化会以几十倍甚至上百倍的放大倍数表现在IC上；

当IB很大的时候，IC就变得很大，不能随着IB的增大而继续增大。晶体管失去放大作用，表明开关接通。

三极管的核心效应

放大:小电流稍有变化，在大电流上放大。

开关的作用:用小电流控制大电流的通断。

三极管的放大效应
IC = * IB
(其中≈ 10~400)
示例:当基极电流IB=50A时，集电极电流:
IC=IB=120*50A=6000A

改变后的微弱电信号被三极管放大成幅的电信号，如下图所示:

所以三极管放大了信号幅度，但三极管不能放大系统的能量。
你能放大多少？
那要看三极管的放大倍数了！
首先，这是由三极管的材料和工艺结构决定的:
比如硅三极管值的常用刻度是:30~200 。
锗三极管值的常用刻度为:30~100
数值越大，漏电流越大，数值过大的三极管性能不稳定。
其次，它会受到信号频率和电流的影响:
信号的频率在一定范围内接近于一个常数，当频率超过一定值时，该值会显著下降。
值随集电极电流IC的变化而变化，mA级的IC值较小。一般小功率红豆的博客速率管放大倍数比大功率管大。

三极管的重要性能参数

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