Flash@NAND Flash跨入128层时代( 三 ) |技术|美光科技|三星集团|

铠侠指出，该款112 层3D NAND 产品为该公司和合作伙伴美国Western Digital（WD）所携手研发完成，今后将利用双方共同营运的四日市工厂以及北上工厂进行生产，且今后也计划推出采用堆叠112 层制程技术的1Tb（128GB）TLC 产品以及1.33Tb 的4bit/cell （QLC：Quadruple-Level Cell）产品。关于上述112 层3D NAND 的量产时间， WD 宣布，预定将在2020 年下半年。
美光
美光过去在 2D 平面式 NAND FLash 技术世代，一直与英特尔联合开发技术、分摊产能建置成本等。
不过，从 2D 转进 3D NAND 世代中，美光已经直逼拥头部厂商水准。 IC 设计业者分析，美光在 3D NAND 技术层面，已经直逼三星水准，其读写 read/write performance 只有三星可以抗衡，且在相同layer 下，其die size 也是业界最小，技术实力在 3D NAND 时代大幅追上来。
2019年10月初，美光宣布第一批第四代3D NAND存储芯片流片出样。第四代3D NAND基于美光的RG架构，采用128层工艺。在“Mircon Insight2019”技术大会上，美光科技执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana表示， 128层3D NAND如果被广泛使用，将大大降低产品每比特成本。

本文插图
如前文所言，他们即将开始批量生产其基于公司新的RG架构的第四代3D NAND存储设备，美光第四代的28层3D NAND即将流片表示，表示该公司新设计不仅仅是一个概念。
同时，美光还没有计划将其所有产品线都转换为最初的RG处理技术，因此明年公司范围的每位成本将不会大幅下降。尽管如此，该公司承诺在其后续RG节点广泛部署之后，到2021财年（从2020年9月下旬开始）将实现有意义的成本降低。
长江存储
相比国际先进水平，国内厂商长江存储也在3D NAND上有所突破，并推出了其独特的Xtacking技术。
据相关报道显示，传统3D NAND架构中，外围电路约占芯片面积的20—30％，降低了芯片的存储密度。随着3D NAND技术堆叠到128层甚至更高，外围电路可能会占到芯片Xtacking技术将外围电路连接到存储单元之上，从而实现比传统3D NAND更高的存储密度。
据悉，长江存储的64层3D NAND闪存产品将在2020年进入大规模量产，此外，长江存储还将在今年跳过96层，直接投入128层闪存的研发和量产工作。
总结
从进度来看， 128层3D NAND基本将在今年大量进入企业存储市场，逐渐成为主流。但是从此亦可看出，存储厂商间的新一轮技术升级之争亦将变得更加激烈。
半导体专家莫大康指出，存储芯片具有高度标准化的特性，且品种单一，较难实现产品的差异化。这导致各厂商需要在工艺技术和生产规模上比拼竞争力。
因此，每当市场格局出现新旧转换时，厂商往往打出技术牌，以期通过新旧世代产品的改变，提高产品密度，降低制造成本，取得竞争优势。
值得注意的是，今年由于疫情原因，可能影响智能手机及笔记本等消费电子产品的出货，闪存出货量预计会衰退或者持平。因此也有业内人士指出，存储厂可能会更趋向于加大96层3D NAND的生产。
对于中国存储业来说，技术上从2D到3D的改变，是一个难得的发展机遇，但是如何抓住这个机遇仍具挑战。
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