Flash@NAND Flash跨入128层时代( 二 ) |技术|美光科技|三星集团|

CSDN博主“古猫先生”指出，这两种技术没有好坏之分，应该是各有千秋。
CTF电荷撷取技术实现原理和过程更加简单，有利于加快产品进程。此外，电荷存储在绝缘层比存储在导体浮栅中更加的可靠。
FG浮栅技术从2D NAND开始已经很成熟。另外，采用FG浮栅技术的3D NAND的存储单元相互独立，而采用CTF电荷撷取技术的3D NAND的存储单元是连接在一起的。这样的话， FG浮栅技术的存储过程更具操作性。

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三星
三星就是主推CTF电荷撷取技术的厂商，其3D NAND的发展轨迹是48层-64层-96层-128层+ 。从2013年开始量产第一代3D V-NAND ，到2018年，开始批量生产第五代V-NAND 3D堆叠闪存， 9x层的堆叠设计；一直引领着存储行业在闪存容量和性能方面的持续性创新。

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三星在2019 年 6 月就推出了第六代 V-NAND（128 层 256Gb 3D TLC NAND）， 8 月份宣布基于该技术已批量生产 250GB SATA SSD ，而在 11 月实现了第六代 128 层 512Gb TLC 3D NAND的量产。
据三星官方消息显示，新款 V-NAND 运用三星电子有的“通道孔蚀刻”技术，向前代 9x 层单堆叠架构增加了约 40% 单元。这是通过构建由 136 层组成的导电模具堆栈，然后垂直自上而下穿过圆柱孔，形成统一的 3D 电荷撷取闪存 (CTF) 单元实现的。
SK海力士
SK海力士也采用CTF电荷撷取技术，在由2D转进3D NAND世代的竞争中， SK海力士似乎一直处在掉队状态，落后过去 2D 平面式 NAND Flash 时代。因此， SK 海力士在全球 NAND Flash 排名中，已经被甩到五名之外。这对于在 2D 时代实力很强的 SK 海力士，属实有点让人意外。
2019年，在美国闪存峰会上， SK海力士公布3D NAND技术路线图，此技术路线图展示，在2030年3D NAND将达到800多层的堆叠高度。 SK海力士将该技术称为第6版4D NAND ，但其他制造商都将其称为3D NAND 。其中176层对应1.38 TB ， 500层对应3.9 TB ， 800层对应6.25 TB 。

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SK海力士在 2019 年 6 月份宣布推出首款 128 层 TLC 4D NAND ， 11 月份向主要客户交付基于 128 层 1Tb 4D NAND 的工程样品并较预期提前量产。这种先发优势，将会有助于抢占市场，更快达到规模经济。
SK海力士128层TLC 4D NAND将在2020年进入投产阶段。同时正在开发下一代176层4D NAND ，将通过技术优势，持续增强其在NAND Flash市场上的竞争力。
东芝
东芝方面，也是CTF电荷撷取技术，东芝是目前日本最大的半导体制造商，也是闪存技术的缔造者，于1989年最早研制出了NAND闪存。虽然东芝公司最早提出3D NAND架构，并于2012年成功研发16层3D NAND实验品，但却迟迟未推出相关产品上市，导致其市场步伐落于三星之后。
据悉，迫于三星的市场压力，东芝计划采用P-BiCS(Pipe-shaped Bit Cost Scalable)技术量产3D NAND产品，样品于2014年Q1送样，计划于2016年第二季度量产；且在2016年度至2018年度，东芝大举投资半导体存储器，投资额将达8千亿日元。
2018 年6 月东芝将铠侠独立出去，并卖给由美国贝恩资本主导的「日美韩联盟」。东芝目前仍持有铠侠40.2%股权。
1月31日，铠侠宣布已研发出3D NAND Flash「BiCS FLASH」的第5代产品，采用堆叠112层制程技术，且已完成试作、确认基本动作。该款堆叠112 层的3D NAND 试作品为512Gb（64GB），采用3bit/cell（TLC：Triple Level Cel）技术的产品，预计将在2020 年第一季进行样品出货，除将用来抢攻需求持续扩大的资料中心用SSD、商用SSD、PC 用SSD 及智能手机等市场外，也将用来抢攻5G、人工智能（AI）、自动驾驶等新市场需求。