国产存储市场格局如何变化? 存储厂商排名 _生活百科

-与集成电路其他产品相比，存储芯片的收入近年内将经历最快速的增长，预计2020年至2025年的复合年增长率将超过9% 。
-截至2020年末长江存储取得全球接近1%市场份额，全资子公司武汉新芯聚焦Nor flash ，与长存NAND补齐Flash版图。
-本土需求叠加外部因素催生本土厂商产能跃进，未来五年长鑫、长存产能有望持续提升，形成较高的市场竞争力。
NAND与DRAM存储芯片为全国最大市场体量的芯片，且国内需求巨大，以长江存储、长鑫存储等为代表的存储企业成立历史尚短，但通过持续技术迭代，已取得不断突破。
2021年12月18日，集微咨询（JW Insights）重磅发布《中国半导体企业100强》排行榜，长江存储排名第七位，长鑫存储排名第十一位。
【国产存储市场格局如何变化? 存储厂商排名】存储芯片需求攀升
半导体存储器从易失性角度分为随机存储器RAM和只读存储器 ROM 两种。目前市场主流的半导体存储器以 DRAM（动态随机存储）、NAND Flash和NOR Flash 。
DRAM集成度高、功耗低、存取速度慢。从存储能力来说， DRAM所能提供的存储容量更大，访问时间较长。NAND 容量大、单位容量成本低， NOR 读取速度快、可靠性高、擦除速度快。多应用于嵌入式系统采用的DOC及闪盘。

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来源：IC Insights
根据IC Insights数据， 2021年，全球存储器IC市场超过1550亿美元，其中56%预计将来自于DRAM产品，约41%由NAND存储器的销售产生。
伴随云计算、人工智能和物联网等重要趋势推动数据大爆炸时代的来临，并助推了未来几年存储需求的强劲增长。与集成电路其他产品相比，存储芯片的收入近年内将经历最快速的增长，预计2020年至2025年的复合年增长率将超过9% 。

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数据来源：Yole
Yole数据显示，作为全球存储重要市场，中国存储芯片市场规模由2014年的1274亿元增长至2019的2697亿元，年均复合增长率达到16.18% 。
长江存储：3D NAND Flash+Nor Flash（武汉新芯）
长江存储是大陆首家实现64层3D NAND量产的IDM企业。其全资子公司武汉新芯聚焦Nor flash ，与长江存储NAND补齐Flash版图。

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2018年，长江存储发布Xtacking架构；2019年9月，长江存储成功量产64层TLC 3D NAND 闪存。此后，长江存储跳过96层3D NAND闪存技术量产， 2020年4月宣布128层TLC/QLC两款产品研发成功，其中X2-6070是业界首款128层QLC闪存。

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根据民生证券数据，截至2020年末长江存储取得全球接近1%市场份额，预计2025年底占全球总产能的比例将达到约6% 。到2019年和2020年底，长江存储产能分别达到2万/月、4万/月， 2021年、2022年、2023年、2024年、2025年长江存储产能分别将达到10万片/月、15万片/月、20万片/月、25万片/月、30万片/月。

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此外，全资子公司武汉新芯聚焦Nor flash ，与长存NAND 补齐Flash版图，武汉新芯成立于2006年，由湖北省市区三级政府集体决策投资107亿，建设中部地区第一条12英寸集成电路生产线， 2008年建成投产。2017年武汉新芯开始聚焦IDM 战略，发布了集产品设计、晶圆制造与产品销售于一体的自主品牌，致力于开发高性价比的SPI NOR Flash产品。
长鑫存储：DRAM技术快速成长
DRAM作为是存储最大细分市场，在电动车和智能网联汽车的推动下、全球居家办公需求延续、5G、人工智能大发展的背景下， DRAM需求也随之不断攀升。合肥长鑫存储作为一体化存储器制造商，专业从事动态随机存取存储芯片(DRAM)的设计、研发、生产和销售，目前已建成第一座12英寸晶圆厂并投产。