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2020年底 , 合肥长鑫19nm DRAM芯片实现量产 , 产能达到4万片 。当下长鑫量产的主要是10G1工艺下的DDR4、LPDDR4 。未来将推出10G3工艺下的DDR5、LPDDR5 , 及10G5工艺下的DDR5、LPDDR5、GDDR6 。
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2020年安徽省经济和信息化厅去年印发了《重点领域补短板产品和关键技术攻关任务揭榜工作方案》 , 其中要求实现低功耗高速率LPDDR5 DRAM产品开发 , 依托DRAM 17nm及以下工艺 , 攻关高速接口技术、Bank Group架构设计技术、低功耗电源(电压)技术、片内纠错编码(On-Die ECC)技术 , 完成低功耗高速率LPDDR5 DRAM产品开发 。
集微咨询(JW Insights)认为 , 目前 , 全球存储芯片主要由国外寡头企业供给 , 国产存储存在的巨大缺口 。伴随国际形势以及国内缺口 , 国产存储芯片自主化已成必然路径 。以长存、长鑫为代表的国内存储企业经过技术攻关 , 已取得系列技术突破 , 并覆盖NAND与DRAM等主要领域 。
存储芯片作为全球最大市场体量的芯片 , 伴随信息化时代数据大爆炸 , 存储芯片全球需求量高速攀升 , 国内市场需求不断扩大 。2021年长鑫存储和长江存储产能合计仅占全球约2.5% , 而本土需求叠加外部因素催生本土厂商产能跃进 , 未来五年长鑫、长存产能有望持续提升 , 形成较高的市场竞争力 。
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