国产的还有瑞芯辉的RK30**系列 这个系列一般用于国产平板电脑 手机不是很常见 不提也罢
主频处理器TI OMAP3630与TI OMAP3620谁比较好Defy的处理器是TI OMAP 3610(自己百度下,不是3630),原本没有Gpu的,MOTO自行添加了一颗POWER VR SGX 530的GPU,而3620和3630则是内部集成POWER VR SGX 530的GPU,理论上说图形能力更好,所以有些游戏Defy超频1G还是玩着卡,而里程碑2就相对好不少 。
手机处理器多少的比较好用?CPU不管是对于手机还是电脑,它都是起着控制作用,因此它也是最重要的硬件之一 。很多人买手机都是追求性能,特别是喜欢打游戏的朋友,一款手机性能好不好,就主要是看手机处理器,CPU的性能越高运行速度就越快 。
如何区分手机CPU的性能高低首先声明,是在网上找的这资料,我刚刚看到有人说高通的CPU是最差的,所以才发上来的,虽然我也是手机小白,仅供大家学习 。
SoC 芯片性能包括CPU处理性能和GPU图形性能:CPU又包括整数运算性能和浮点运算性能,GPU包括2D图形运算和3D图形运算 。看CPU的性能高低,其架构占主导地位,比如现在的45nm RAMv7 架构 。目前高端CPU都采用多核/多线程,多核相当于多个车间,多线程相当于多条生产线,相互协同工作效率最高 。双核是指一个CPU基板上集成两个处理器核心,并通过并行总线将各处理器核心连接起来 。双核是单芯片多处理器中最基本的一种类型 。高端双核比入门四核强 。电话、网络、应用程序,需要CPU承担主要的运行任务;而游戏却注重于图形处理芯片GPU,不需要太高的CPU主频,例如PSP的CPU主频就只有333MHZ 。如果既要CPU好又要GPU好,那就要求有更高的电池效率 。
CPU的制造工艺不同,其耗电量也不同;从65nm到45nm,数据越大说明CPU中晶体管的体积越大,那么在相同的面积集成的晶体管也越少,发热量就越大,越耗电 。CPU可以通过超频技术来提高性能,但会加大耗电量、使处理器性能不稳定、发热量大、加速器件老化;CPU的降频技术即降低设计频率可以节省电能 。通常更高版本的操作系统需要更高的频率,如果在低版本手机上使用高版本操作系统,那么高版本操作系统ROM会自带超频,也会增大耗电量 。
手机耗电量主要与CPU、GPU、内存和屏幕等四大硬件因素有关 。
——1、首先CPU的制造工艺直接关系耗电量;其次CPU的频率越高耗电量也越大;目前流行的降频软件会使处理器性能不稳定;再次CPU热功率TDP的高低同样影响耗电量,TDP越高发热量越大 。一般而言,双核心因为发热量大,TDP比单核心TDP要高;即现在的Cortex-A9双核心 。
——2、GPU性能的决定因素除本身硬件属性外,还决定于显存 。现在手机GPU没有独立显存,要和CPU一起共享RAM,而Iphone 4的GPU可以直接访问RAM 。
——3、内存方面,工作电压越低越节能;DDR工作电压是2.5V,DDR2工作电压是1.8V,DDR3工作电压更低,为1.5V,发热量也更小,更省电 。
——4、屏幕:TFT是最好的液晶,但耗电量较大;STN耗电量少,但颜色不真实;OLED能显著节能;
颜色质量65000色、26万色和1600万色,深度越高显示颜色越真实,但耗电量也越大 。
TI ARM 单芯片处理器普遍采用更小制程工艺、Low-voltage低电压技术、动态改变工作电压的节电架构、
m-BGA封装方式,更小的电路板面积(12×12平方毫米),实现了低功耗、高性能和高电源效率 。
OMAP3(ARM Cortex-A8 & ARMv7)平台对电源建立在1400mAh的要求上 。
OMAP3630:RAMv7架构、45nm制程、设计频率720MHZ、图形核心SGX530(200MHZ),多媒体核心720P;
OMAP3640:RAMv7架构、45nm制程、设计频率71GHZ、图形核心SGX530(200MHZ),多媒体核心720P;
高通的手机芯片组主要包括:MSM芯片组、单芯片QSC以及Snapdragon平台 。高通MSM8255应该算是现阶段应用最为主流的芯片组之一,应用于WCDMA网络,移动芯片组是一种高度集成的产物,其中不仅集成有我们常说的处理器(CPU),还有图形芯片(GPU)、音频模块、视频模块等等 。MSM8255使用的是Adreno 205图形芯片 。
ARM Cortex-A8是主流 。手机以通信为主,作为手机来说,高通的CPU最好,因其数据处理能力和上网速度都比其它快;
CPU使用二级缓存L2的结果是处理器运行效率的提升和成本价格的大幅度不等比提升 。至强的二级缓存L2是2mb~16mb 。而前端总线的增加,要比增加缓存提升性能大得多 。运行内存RAM决定了任务运行启动速度以及多任务运行的流畅性,DDR2相当于DDR内存两倍的带宽通道,可以保证多任务的运行 。
高通QSD8250采用65nm制程、设计频率1GHZ,DSP运行频率600MHZ,具有32KB的一级缓存,640KB的二级缓存,集成Adreno200型号GPU,提供480P视频摄录,配备512MB DDR的RAM,带宽能力不及DDR2;
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