从三家厂商披露的信息看，各自产品已进入量产倒计时阶段。试产时间预计将在2018年下半年，量产时间则可能集中在2019年上半年。

筑起专利护城河

在国内存储芯片研发仍处于爬坡上坎阶段的时候，需要指出的是，无论DRAM还是NAND Flash，比拼的除了先进工艺和规模，更重要的是专利难题。

这是因为，对于存储器产业，小小的一个零部件都有着严苛的专利保护。而这些专利往往掌握在巨头手中，巨头市场占有量又非常大。因此，要避开所有现有的专利来进行开发，挑战非常大。

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