【

结论

】

研究人员通过在单个平台上集成Al和

N

极性域来设计，制造和表征新型

AlGaN / GaN MQW

横向极性结构，并证明

了

这一

横向极性结构具有较高的

发光强度。来自LPS MQW的增强发光主要归因于

N-

极性区域中的表面粗糙化和组成不均匀性。根据这些区域中较高的发光强度，我们观察到

IQE

在

N

极性区域和

LPS

中的

IDB

处更高。优化的

MQW

结构设计还为降低

量子限阈史塔克现象（

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