LPS

内载体分布的独特行为表明以微米级选择性掺杂的可能性。横向整流结或

p-n

二极管可以通过这种技术制造，在这种情况下，电流与

TD

相垂直，因此薄膜缺陷对发光效率的影响显着降低，从而减少对

AlGaN

中材料质量优化的需求和

AlN

。另外，随着

LPS

周期性的进一步优化和

IDB

缺陷密度的控制，可以获得基于

LPS

的

UV

发射体的光学性质和电性质之间的平衡，导致由于横向电势变化导致的小的载流子扩散长度以及有效的载体注入。

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