EUV 光刻机技术研发开花结果！日本凸版 EUV 光掩模正式出货为了展现日本凸版印刷 Toppan 全力以赴

为了展现日本凸版印刷 Toppan 全力以赴支持中国半导体产业发展的决心，第一届“凸板光掩模技术论坛 Toppan Technology Forum”正式在上海登场，

凸版 Toppan 更表示，已经出货超过 300 个测试用的 EUV 光掩模，未来芯片公司和光掩模公司之间的紧密合作，是协助 EUV 光刻机在市场上快速导入量产的不二法门。

日本凸版印刷 Toppan 多年前就投入 EUV 光刻机用的光掩模技术的开发，过去 5 年（2014~2108.04）期间，凸版 Toppan 发表了 37 篇有关于关键 EUV 光掩模技术的相关论文，是该产业竞争对手的数倍之多，显示投入研发的深度。

日前 ASML 已经宣布 EUV 光刻机 NEX:3400B 在实验室中已经可以达到每小时吞吐量 140 片的新里程碑，且光源功率为 246 瓦，

同时，ASML 的 EUV 光刻机也获得半导体大厂在 7 纳米的采用，包括三星第一代的 7 纳米技术，以及台积电在 2019 年导入的第二代 7 纳米等，正式迎接半导体产业的 EUV 光刻机时代。

凸版也宣布，已经出货超过 300 个测试用的 EUV 光掩模给客户，且相信未来芯片公司和光掩模供应商之间的紧密合作，可以协助 EUV 光刻机在市场上快速导入量产。

日本凸版上海厂的前世今生，是

中国半导体中外合作发展的创新佐证

凸版在 1961 年跨入半导体光掩模产业，中国上海厂是于 1995 年开始投产。中国的凸版上海厂前身是美国杜邦，杜邦的光掩模事业部布局中国半导体产业的时间点非常早，甚至早于许多中国一线半导体晶圆厂，不过，杜邦在 2004 年将上海厂卖给日本凸版后，陆续退出该产业。

中国科学院院士，同时也是知名的材料学家邹世昌当年也参与杜邦光掩模上海厂、上海华虹 NEC、宏力半导体的建设，是中国半导体产业发展的见证人。

图丨中国科学院院士邹世昌

邹世昌回忆，1993 年到美国参访杜邦总部，且参观纽约工厂，了解杜邦技术后，展开与杜邦的商业谈判，几经周折，在 1995 年合资公司上海杜邦光掩膜正式成立。

上海杜邦成立初期，领导管理层是美方，成立的前几年持续亏损，在董事会商议后，从韩国厂派人到合资公司担任总经理，借鉴海外经验且开源节流的策略后，上海厂在 2000 年初开始转亏为盈，同时也将国内的光掩模技术制造水平提升到 0.25 微米，提升交期和量产的品质。

邹世昌感性指出，

日本凸版印刷上海厂的前世今生，是中国半导体中外合作发展的创新佐证。

他进一步指出，眼前的国内半导体欣欣向荣，各地晶圆厂是遍地开花，但国内高端光掩模技术仍是薄弱，多数是依靠国外进口，未来希望凸板能填补高端技术的缺口，推进产业发展，因为中国产业发展的崛起，离不开国内外的共同合作，上下游的共同努力。

凸版要将高端 28 / 14 纳米、DRAM 技术落地中国全力冲刺市场份额

日本凸板陆续将高端技术转移到上海厂 TPCS，该厂在 2015 年导入 90 纳米的光掩模技术设备，并将在 2018 年开始生产 65/55 纳米技术，之后在 2018 年进入逻辑制程 28/14 纳米，以及 DRAM 的 1X/1Y 制程的光掩模生产，预计将投入 1.5 亿美元，全力冲刺中国市场的市占率。

同时，日本凸版将最高端的光掩模技术产品在中国当地生产，有助于缩短交期，提供就近服务，目标是 2020 年底将中国光掩模市占率提升至 70%。

除了投入高端技术工艺，日本凸版也在数年前就投入 EUV 光刻机用的光掩模，通过高能量、波长短的光源，将电路图案转印到晶圆

，EUV 光源波长比目前深紫外线 DUV 光源波长短少约 15 倍，因此能达到持续将线宽尺寸缩小的目的。

EUV 光刻机用的光掩模是以微细加工与光学设计技术在基板表面施加微细的凹凸加工，且测试超过 300 种以不同的高度、间隔、形状、材料的组合等，达到成功减少多余的光线反射、减少电路线宽不均问题，利于形成微细的半导体电路。

EUV 光掩模和传统光掩模不同之处在于，传统光掩模是有选择性地传输 193 nm 波长的光线，将电路图案投射到晶圆上，但当采用 13.5 nm 波长的 EUV 微影技术时，所有的光掩模材料都是不透光的，因此具复合多涂层反射镜的光掩模可将电路图案反射到晶圆上。

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