芯片|3nm突破契机出现，美国不想看到的事情正在发生中芯国际|光刻机|it芯片

文章图片

文章图片

文章图片

文 | C君科技排版 | C君科技

大鱼号原创文章，禁止抄袭，违者必究

芯片制造的困局
众所周知由于受到美国相关非正义条例的约束，当下我国的一些科技企业在半导体芯片的获取渠道上受到了阻碍，其中最典型的例子就是华为公司，由于美国接二连三的针对华为公司颁布一系列的条例，致使华为从台积电和三星电子处获取代工芯片的渠道被封堵，这导致华为自研的麒麟芯片发展受阻。
而在这次的禁令之下也让我国科技企业明白，我国在芯片制造领域还面临的一些困局，而这个困局主要集中在高精度半导体芯片的生产制造上，特别是10nm制程以下的芯片制造。
面对这样的困局，从2020年开始我国科研机构和具体的技术企业进行了积极联动，力求在5年之内，突破70%的芯片自给率，为了达到这个目标，当下我国相关半导体产业链企业正大力投入资金进行相关供应链技术的研发。
关键技术而在相关产业链技术积极推进的过程中，涉及芯片产业链中最核心的技术点就是芯片代工企业代工水平的提升，因为这是最重要的点，只有拥有了高精度芯片代工工厂，才能实现高精度芯片的量产，才可以绕过台积电和三星电子。
【芯片|3nm突破契机出现，美国不想看到的事情正在发生】
而在这个过程中，我国能够扛起大梁的企业就是中芯国际，截止到目前为止，中芯国际已经能够实现对14nm制程芯片的量产，另外在7nm芯片领域，根据12月4日消息显示，中芯国际的第二代FinFET已经进入到了小量试产阶段，而根据之前中芯国际联合CEO梁孟松的介绍，这个第二代FinFET代工技术所代工的芯片，已经和7nm非常接近了。
这也就是说，在一定程度上，中芯国际的代工技术水平已经逐渐追上了台积电和三星电子的脚步，不过真正要对比起来，还是有一定差距的，毕竟当下台积电和三星电子已经完成了5nm产线的布局，开始测试3nm产线了。
后来者居上不过，就在这个时候一则消息的传出，则打破了外界对于3nm技术的认知，根据近期相关媒体报道的消息显示，中芯国际已经攻克了3nm工艺制程，唯一缺的就是EUV光刻机，只要光刻机到位，就可以开始尝试。
此消息一出，就引起了外界的震惊，而就在这则消息传出不就，根据12月18日消息显示，在新任副董事长蒋尚义的帮助下，中芯国际正寻求和ASML公司就EUV光刻机设备进行谈判。
如果此次谈判能够成功，那么EUV光刻机就可以成功进口，如果按照之前媒体有关于中芯国际3nm工艺发展的说法来看，当下中芯国际3nm芯片制程的突破契机似乎是出现了。
而看到中芯国际和ASML公司谈判消息的传出，似乎也意味着美国不想看到的事情正在发生，毕竟一旦谈判成功，那么我国在芯片事业上的发展将再次迈进一大步，这不是特朗普之流想看到的。
总结但是，需要注意的是，就算这次谈妥，但是ASML公司生产的EUV光刻机在技术成分上还是含有美国技术的，这无法在根本上解决美国可能继续限制我国相关技术进口的行动。
所以，我国在芯片相关技术领域的攻克任务依旧不能停止，而当下中科院也已经加码EUV光刻机的突破，相信只要再给中科院一些时间， EUV光刻机的问题一定能够被我国攻克。
你觉得届时，我国芯片事业的发展还有谁能阻止呢？

科技自媒体撰稿人，以不一样的视角，解读不一样的科技。