台积电|1nm光刻机！荷兰科技巨头传来新消息，台积电“喜从天降” 光刻机|asml|荷兰|it芯片

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如今，芯片制程工艺已经来到了5nm ，而三星、台积电还在继续向着更高制程的3nm与2nm推进。但是，受到摩尔定律影响，想要继续向前推进，难度将翻倍提升。

如今有不少半导体公司认为，摩尔定律已经走到了尽头，或因成本成本太高，而放弃了工艺小型化。不过，身为全球第一大光刻机巨头的ASML ，却没有停下前进的脚步。
11月18日， IMEC公司首席执行官Luc Van den hove带来了一个振奋人心的消息。他表示， IMEC在与ASML的紧密协作之下，成功实现高NA EUV光刻技术商业化，此为下一代高分辨率EUV光刻技术。
同时， IMEC还展示了3nm、2nm、1.5nm与1nm以下的小型化线路图。
IMEC还表示，作为NXE:5000系列的高NA（NA=0.55）EUV曝光系统的基本设计， ASML已经完成，到2022年时其将启动商业化计划。
目前EUV光刻机的NA=0.33 ，而2nm以后则需要NA=0.55 。这表示， ASML的更高精度光刻机有了重大进展。
与当前光刻机相比，下一代光刻系统将会十分巨大，这是因为其光学系统将会更大。
通过IMEC首席执行官的介绍来看， ASML对下一代光刻机已经有了完善的规划， 1nm ，甚至亚1nm光刻机离众人已经越来越近。
【台积电|1nm光刻机！荷兰科技巨头传来新消息，台积电“喜从天降”】ASML的这一好消息，对正在努力攻克更高精度芯片的台积电来说，可谓是“喜从天降” 。
在2020世界半导体大会上，台积电南京公司总经理罗镇球表态，台积电将继续推进芯片制程工艺，就算是到1nm ，摩尔定律仍将适用。
而ASML光刻机的突破，将助台积电一臂之力。
根据台积电当前规划，其将在2022年实现3nm芯片量产。而在2024年时，则要实现2nm芯片的量产。
如今，台积电2nm制程已经有了重大突破。据悉，台积电2nm将采用GAA技术， GAA的栅极对沟道的四面进行包裹，从而令源极和漏极不再和基底接触。
GAA有着性能强、功耗更低的优势，不过，其也将带来成本的提高。据悉， 5nm工艺成本为4.76亿美元，而3nm GAA成本则将突破5亿美元。
最终，台积电能否克服重重困难，成功将工艺节点推进至2nm ，十分值得期待。
如今，台积电与三星之间的竞争尤为激烈。三星为超越台积电，坐上老大的位置，可谓是卯足了劲，但台积电也不甘落后。当前，二者的竞争十分胶着，最终，谁能赢得先机，十分令人期待。
文/BU 审核/子扬校对/知秋