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最近聊了多次碳(纳米管)芯片 , 很多人将目前比较热门的“宽禁带半导体”和“碳纳米管芯片”技术混为一谈 。
宽禁带半导体 , 随着最近的氮化镓GaN芯片的爆发式增长 , 以及纳微Navitas的IPO , 备受关注 。 当然随着新能源汽车的推进 , 碳化硅SiC芯片也越来越受到关注 。 SiC芯片主打的是高压高功率 , 而GaN芯片主打中压高频 , 都有望在性能上突破传统硅基芯片的限制(例如IGBT) 。 而我们的网络和舆论关注碳(纳米管)芯片 , 则更看重的是低成本、高集成度 , 有望取代硅基集成电路(以及或许解决卡脖子的希望) 。
氮化镓芯片已经大规模渗透到消费电子 , 大家身边的手机快充 , 都逐渐被氮化镓充电头替代了 。 这方面 , 国内有几家专以“黑科技”探索见长的公司第一时间装备了 。 目前手机快充已经不限于65W了 , 一些厂家已经推出125W快充 。
而最近 , 一家笔记本电脑厂商 , 已经在做300W氮化镓快充头 , 今后我们可能就要摆脱笔记本电脑那块大砖头的适配器了?
【芯片|“宽禁带半导体”和“碳纳米管芯片”的区别】
氮化镓芯片的成功 , 我认为除了技术上的成熟外 , 移动电子对快充的巨大需求 , 是其主要的推动力 。 当然 , 这也和硅基底氮化镓晶圆的成本日趋降低有重要的关系:目前 , 硅基底氮化镓晶圆成本已经不到硅晶圆的2倍 。 对于我们普通手机用户而言 , 多花几十元配一个快充带来的消费体验 , 自然是物超所值的(据Navitas官网显示:其65W充电头只需要35美元 , 基本接近苹果的31W硅芯片充电头29美元) 。
稿源:(未知)
【傻大方】网址:/c/1125a43I2021.html
标题:芯片|“宽禁带半导体”和“碳纳米管芯片”的区别