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随着闪存的发展 ， 如今廉价、大容量的SSD几乎都要上QLC闪存了 ， 这让消费者很不爽 ， 因为QLC闪存不仅可靠性差 ， 而且性能也慢很多 ， 没有缓存加速的时候 ， 性能甚至跑不过HDD机械硬盘 。 QLC闪存性能差是先天性的 ， 如果用光了缓存容量空间 ， 现在的QLC闪存真实写入速度也就100MB/s ， 三星的870 QVO硬盘之前有人实测过 ， 拷贝文件的速度也就160MB/s ， 这个速度甚至还不如一些HDD机械盘快 。

【联想|三星提升QLC闪存性能：写入可达320MB/s 重新超越机械硬盘】三星也注意到这个问题了 ， 未来也会重点关注QLC闪存的性能 ， 目前他们使用的QLC闪存主要还是96层堆栈的V5 QLC ， 明年会跳过V6 QLC ， 直接进入176层的V6 QLC闪存时代 。

根据三星所说 ， 新一代QLC闪存性能好得多 ， 写入速度2.7倍、读取速度也有2.6倍 ， 不过这是针对V4 QLC闪存的 ， 相比现在的V5 QLC大概能提升一倍 ， 意味着写入性能可提升到320MB/s 。
不考虑缓存加速 ， 320MB/s的原始写入性能已经相当可观了 ， 足以让SSD性能重新超过HDD硬盘 ， 并且跟TLC闪存一较高下 ， 相关产品预计在明年上市 。

稿源：(未知)

【傻大方】网址：/c/1124a2UH021.html

标题：联想|三星提升QLC闪存性能：写入可达320MB/s 重新超越机械硬盘