美国|越过技术壁垒了中科院正式宣布，网友不需EUV，直击5nm 正式宣布|光刻机|网友|技术壁

相信大家都知道今年华为的遭遇，美国一直对中国科技虎视眈眈，我国一次次在科技领域实现了重大突破，已经撼动了美国的科技霸权了。
所以，从去年开始，美国就直接将华为列入了实体清单，今年5月份，美国针对华为的动作也越来越大了，甚至禁止了其他企业向华为提供美国技术。

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美国的这一招可谓是“一炮双响”，华为的底气在于华为在5G领域有绝对的实力，而美国是没有实力和华为打这一张牌的，但是美国的半导体领先中国不止十年。美国禁止其他企业同华为合作，让华为5G设备突然失去了支持，很多人局限将华为芯片局限在了海思麒麟上了，但是华为在5G设备上其实也研究了许多的世界顶尖芯片。

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越不过的技术壁垒？禁令让台积电这样的世界第一芯片代工厂停止了和华为的合作，华为的终端业务受到了严重影响，同样台积电的撤退也会使华为的5G领域受到影响。
但华为在国内却找不到一家顶尖的芯片代工厂，中国在EUV光刻机方面落后的实在太多了，但这一技术却被美资参股的ASML牢牢掌控了，我们一直无法越过这层技术壁垒。

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中芯国际花高价钱，多次出面向保证荷兰ASML保证不会将EUV光刻机交给中国军方，这才拿下了一个订单，但这轮采购同样遭到了种种阻拦和延期交付，未来能否真的到手还很难说。没有ASML的EUV光刻机就造不出5nm芯片，没有5nm芯片，华为在芯片领域投入的几千亿就打了水漂，中国未来就只能依靠购买美国的芯片继续我们的科研之路。

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好消息终于传来！我们的科学家仍旧只研发出来了90nm的光刻机，虽然上海微电子表示很快就能够量产28nm的光刻机，但这还是与ASML的5nm光刻机隔了一重山。
光刻机最重要的就是光刻分辨率，波长越短，光刻精准度才会越高，而在我们中科院的努力下，好消息终于传来，我们又实现了新的技术突破，中科院正式宣布：新型激光光刻技术横空出世，现在我们的科学家可以405nm波长的双激光束进行光刻，竞争力等同于5nm的EUV光刻机。

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许多网友称：我们有了实现弯道超车的希望，不需EUV，同样可以直击5nm，事实证明ASML的EUV光刻技术也已经到了瓶颈，之后很难再有新的突破，5nm光刻机并不是一定要用ASML的。未来我们同样可以造出来！写在最后
虽然这项技术有了突破，但是技术的突破并不等于光刻机能够量产。仅凭借一项技术，就能够彻底实现量产也不可能。
华为芯片设计好了，同样要经过许多次试验、流片，更何况是光刻机这种集合了N多项专利的超大体型的机器？
【 美国|越过技术壁垒了中科院正式宣布，网友不需EUV，直击5nm】

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不过话又说回来，其实我们的很多个领域都是在一次次的沉淀中才突破的，就像是一项研究，没有无数次试错，无数次的总结，也无法产出成果。我们有很多人将思维局限在了一个点，对自己国家的科技完全不够自信，前沿科技是上层科技，没有基础做支持也无法实现突破，美国拿着ASML的几十年的沉淀耍我们玩，现在我们跟在别人屁股后面永远只能看别人的脸色。
或许这项技术并不能够立马让我们的光刻机得到量产，但这也意味着我们的科学家探索的路线是对的！

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相信不久后5nm光刻机我们自己也能够造出来！这一天不会太远！你觉得我们能够自己捣鼓出新型5nm光刻机吗？